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采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了1550nmAIGalnAs-InP偏振无关半导体光放大器，有源区为3周期的张应变量子阱结构，应变量为-0．40％．器件制作成脊型波导结构，并采用7。斜腔结构以有效抑制腔面反射．经蒸镀减反膜后，半导体光放大器的自发辐射功率的波动小于0．3dB，3dB带宽为56nm．半导体光放大器小信号增益近20dB，带宽大于55nm．在1500～1590nm波长范围内偏振灵敏度小于0．8dB，峰值增益波长的饱和输出功率达7．2dBm．