x)Ge_xSi相关论文
利用Ｓｉ１－ｘＧｅｘ的等离子体色散效应，对１．３μｍ和１．５５μｍ光通信波长的Ｓｉ基Ｓｉ１－ｘＧｅｘ波长信号分离器进行了理论分析，设计了结构参数和电学参数，并分析了其分支特性．
Base......
对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ多量子阱（ＭＱＷ）红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为：１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，脊宽、高和腐蚀深度分......
用GSMBE（GasSourceMolecularBeamEpitaxy）技术在国内首次研究了应变Si1-xGex／Si异质结材料的生长．并用X射线双晶衍射技术对样品进行了......
对分子束外延生长带边激子发光的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ量子阱结构，通过Ｓｉ离子自注入和不同温度退火，观测到深能级发光带和带边激子发光的转变．Ｓｉ离子注入量子阱......
根据MBE实际生长条件，采用在应变Si1-xGex／SiMQW结构中同应变相关的Ge的扩散系数，用生长过程的移动边界条件，求解了Ge在Si1-xGex／SiMQW......
对１．５５μｍ波长的Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光波导开关和Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ红外探测器的集成结构进行了系统的理论分析和优化设计。设计结果为：（１）对Ｓｉ１－ｘＧｅｘ光开关，Ｇｅ含量ｘ＝０．０５，波导的内脊高、脊宽和腐蚀......
利用Si分子束外延技术,及硅平面器件工艺,制作了工作温度大于液氮温度的SiGe/Si异质结内光电子发射红外探测器。探测器的黑体探测......
本文分析了一个单量子阱的随频率变化的Ｇ－Ｖ特性，提出用电导法测量量子阱的能带偏移．通过对一个Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ单量子阱的实验Ｇ－Ｖ曲线的分析，验证了这一方法......
