γ瞬时辐射相关论文
对嵌有AlAs薄层的GaAs外延材料在450℃下用水汽测壁氧化的方法使之成为具有AlO绝缘缓冲层的GaAS多层外延材料（GOI）将该材料与一般GaA......
本文对两种类型存储器NVSRAM和FLASHROM在不同辐照剂量率下进行辐照实验,研究了这两种存储器抗γ瞬时辐射性能,对实验结果进行了分......
本文简要分析了PIN探测器的工作原理,针对低工作偏压条件下低阈值γ瞬时辐射环境探测问题,重点进行了PIN探测器应用技术研究,最后......
通过该项目的研究，建立了大规模集成电路γ瞬时静态、动态辐射试验方法和试验测试系统，通过“闪光-1”加速器γ瞬时静态辐射试验，获得......
