三角势阱近似相关硕士博士期刊学术论文

MOSFET器件尺寸的按比例缩小导致栅氧化层厚度越来越小，同时衬底掺杂浓度不断提高，而栅电压的减小相对较弱，从而使得器件沟道表面的纵......