集约模型相关论文
超大规模集成电路遵循摩尔定律向前推进,纳米片环栅场效应晶体管（NSFET）有望成为3nm技术节点的核心器件。电路-器件-工艺协同优化（DTC......
提出了一种新的建立集约模型的方法 ,即栅电容修正法 .此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系 ,且可以对各种效应相对独立地建模......
对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式.结果显示,由于三栅结构在高度方向的限制......
出钢记号集约模型是厚板生产管理系统材料设计系统中的一个优化模型,宝钢自主研发的出钢记号集约模型,采用优化组合算法挑选出适合......
目前占据市场主流的FLASH存储器面临难以进一步缩小尺寸、功耗大、工艺成本高、可靠性不甚理想以及系统集成难度大等众多技术难点，......
射频横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(RFLDMOSFET)作为功率放大器的核心器件，由于其优异的性能，而被广泛地应用于通信、雷达......
MOSFET器件尺寸的按比例缩小导致栅氧化层厚度越来越小，同时衬底掺杂浓度不断提高，而栅电压的减小相对较弱，从而使得器件沟道表面的纵......
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型.基于此,美国Berkel......
本文完成了对多种表面势为基础的MOSFET片电荷（charge-sheet）模型反型层电荷和沟道电流计算的基本检验，相对于以基本的MOSFET器件物理......
MOSFET集约模型作为连接半导体生产商与电路设计者之间的桥梁,是半导体行业不可或缺的一环。随着对器件物理效应的不断深入了解,以......
对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式．结果显示，由于三栅结构在高度方向的限制作......
提出了一种新的建立集约模型的方法，即栅电容修正法．此方法考虑了新型效应对栅电压的依赖关系，且可以对各种效应相对独立地建模并分别......
利用ISE 8.0的DESSIS,对多晶区量子力学效应进行了摸拟.结果表明,纳米级MOSFET多晶区内的量子效应不可忽略,且它对器件特性的影响......
随着量子计算的不断发展,量子比特数目不断增多,这使得在低温下工作的量子芯片与在常温工作的控制读出系统之间的交互,变得愈发冗......
建立了双栅MOS器件反型层积分电荷Qi的集约模型．该模型考虑了反型层载流子的量子限制效应，使其适用于纳米尺度的器件应用．基于以前关......
CMOS集成电路技术的进一步发展和不断出现的新技术应用要求我们持续地改进和增强VLSI电路设计和模拟的集约模型．基于此，美国Berkeley......
介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展，及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量......
