二维器件模拟相关论文
应用负偏置温度不稳定性(negative bias temperature instability,NBTI),退化氢分子的漂移扩散模型,与器件二维数值模拟软件结合在......
该文提出一种与结隔离智能功率集成电路（Ｓｍａｒｔ Ｐｏｗｅｒ ＩＣ．，ＳＰＩＣ）工艺兼容的双降场区ＲＥＳＵＲＦ ＬＤＭＯＳ结构，二维器件模拟表明该结构能有效地降低高压ＬＤＭＯＳ的表面电场，提高其耐......
随着MOSFET的尺寸按比例缩小,为抑制短沟效应栅氧化层厚度不断减小,同时衬底掺杂浓度不断增加.因此沟道表面横向电场越来越强,导致......
