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伏一安特性相关论文

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对InSb探测器芯片的退化机理进行讨论。提出了SiO2钝化膜中悬键形成的一种新模式；为进一步减少界面陷阱及界面态，采用含氧原子的等离......

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等离子体锑化铟探测器二氧化硅伏一安特性电容一电压特性红外吸收谱 plasma InSb detector SiO2 I-Vcharacterist

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