俄歇复合相关论文
近几十年来,纳米材料以其优异独特的物理化学性质,在发光二极管、太阳能电池、光催化、生物检测等诸多领域展现出了广阔的应用前景......
随着电力电子器件的迅猛发展,从日常使用的家用电气、交通工具到航天航空,处处都体现着电力电子器件的身影,因此如何提高器件的击......
学位
研究了俄歇复合、电子泄漏和空穴注入对深紫外发光二极管(DUV LED)效率衰退的影响。结果表明,当俄歇复合系数从10-32 cm6·s-1增大......
修正了现行俄歇复合率的公式，并用之分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ异质材料系统在有无量子尺寸效应情况下的俄歇复合率随载流子浓度和温度变化的行......
1 SiGe/Si基纳米结构对含有Ge和SiGe纳米岛（量子点）的硅基纳米结构的兴趣日益增长，可用它们新近发现的光敏性质和光发射性质来解释，特......
InGaN基发光二极管(LED)芯片大电流密度下效率的下降影响了其在功率型器件方面的应用,因此效率下降的原因和克服的方法成了当前的......
如果发光二极管(简称为LED)不再仅仅用于指示灯或者数字显示器,而是将它们应用到建筑物或街道照明时,氮化镓基半导体就成为大家关......
纳米绒面黑硅结构能够在不外加减反层的情况下获得良好的陷光作用,但是在实际应用中受限于严重的复合和较大寄生面积,因而,仍旧需......
经过近十年的发展,钙钛矿太阳能电池的效率由2009年的3.8%提升到现在的24.2%,且具有千小时级的稳定性;蓝、绿和红光钙钛矿LED均具......
本文系作者近年来对高频晶体管H_(FE)参数退化机理的研究报告。 实践证明采用扫描电子束感生电流技术和俄歇扫描显微镜来研究h_(F......
研究了85K时,x=0.195～0.22,平衡载流子浓度n_0=3×10~(14)～6×10~(15)厘米~(-3)的n型Cd_xHg_(1-x)Te晶体中的带间俄歇复合。导出实现......
对发光二极管的输出饱和进行仔细分析后就能有根据地认为,俄歇复合是1.3μm InGaAsP/Inp DH光源的输出饱和及激光器阈值的温度敏......
对用于8～14微米波长范围内,在77K时禁带宽度为0.1电子伏的(PbSn)Te和(PbSn)Se探测器作了比较。在假定通过p-n结的扩散和隧道电流的......
一、引言理论上证明,在任何温度下,红外量子探测器的最大D_λ~*由下式给出:D_(λ(最大))~=ηλ/2hc(A/gth)~(1/2)(1)这里D_λ~*—......
引言最近几年,HgCdTe被广泛地用来制作红外探测器。尽管已对该材料进行了广泛的研究,但这些研究只是提供了一些有限的数据和一个......
俄歇复合和载流子泄漏已作为InGaAsP激光器和LED_s的温度灵敏性高和内量子效率低的原因而被提出。本文发表了通过测量载流子寿命......
在1.3μm InGaAsP/lnP DH激光器发射谱中,我们观测到 0.95μm的短波发射带.实验分析表明这一发射带不是由结偏位引起,也不是有源区......
半导体的无辐射俄歇复合有时受电场的影响。不仅受外场而且也受内场(表面场,p-n结电场)的影响,因此我们计算了这种场(以均匀场处......
在以往的文章中,一些作者认为俄歇复合可能是InGaAsP发光二极管(LED)输出功率饱和的机理。然而,最近一些报道则认为功率饱和也可......
首先用光激励的方法研究了有源区成份选择范围较宽的 InGaAsP/InP异质结构的发光特性和阈值特性。指出,在从λ=1.5μm 的结构向λ=......
利用连续运行的可调谐CO_2激光器,我们进行实验观察100K时N型Hg_(0.3)Cd_(0.2)Te带间跃迁的非线性光电导,着重研究了吸收系数、光......
我们设计研究了p~+/p/n结构的硅光伏探测器。由于UVC波段的辐射在硅中的透入深度很浅,约10nm,光生载流子绝大多数都在表面附近产......
本文从理论上分析了能带结构参数和输运机制对 1.3μm InGaAsP半导体激光器的异质势垒准平衡载流子泄漏过程的影响,及其对T_o的影......
本文认为,Ⅰ层中不会有电子浓度和空穴浓度处处相等的电中性近似,这两种浓度都要随扩散距离的增加而衰减.本文用准中性条件来求解......
普通InGaAsP-InP双异质结(DH)激光器阈值电流对环境温度变化特别敏感,一般其特征温度仅为60-80K,与AlGaAs-GaAs DH激光器相比要相......
发光二极管(light-emitting diode，LED)因具有高效、节能环保、长寿命、体积小等优点，有望代替传统的白炽灯、荧光灯及气体放电灯成......
近几年，由于外延技术以及后续制作工艺的逐渐成熟，GaN基多量子阱LED得到了极大的发展，部分LED已经投入到大量的商业化生产。然而，在大......
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响,得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转......
目前,中红外器件的应用已越来越广泛.为了更好地了解此类器件的结构和发展状况,本文结合国外在此方向上所取得的结果,对这类器件的......
修正了现行俄歇复合率的公式，并用之分析了晶格匹配ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓ异质材料系统在有无量子尺寸效应情况下的俄歇复合随载流子浓度和温度变化的行为......
通过考虑不同因素对压应变和张应变量子阱激光器阈值电流和特征温度的影响，得到了俄歇复合和非俄歇复合对阈值电流起主要作用的转变......
本文从理论上剖析影响半导体激光器热特性的主要因素，包括：(1)俄歇复合几率的大小；(2)有源区的载流子泄漏；(3)价带间光吸收；(4)激光器有......
为了解决半导体激光器在高温、高功率情况下工作时出现的阈值电流升高，波长飘移，发光效率下降等问题，设计并生长了一种具有高特征温度......
基于Boltzmann方程,采用了Chen J K等人建立的自相关模型,考虑了Si薄膜的热容、热导率、弛豫时间等热力学参量随温度非线性变化的......
俄歇电子谱仪广泛地利用来确定固体表面的化学和电子结构（40 A）。这篇文章详细地讨论了利用俄歇电子谱仪分析表面结构的方法。给出了......
在本文中，我们研究CdSe／CdTe胶态量子阱或者纳米片里面的单激子、带电激子和双激子态．我们发现，CdSe／CdTe纳米片中II型的能带排布能够在......
本文介绍全部采用国产光电器件实现的、波长为1.3μm的140 Mbit/s激光发射机模型和实验结果。......
GaAs基AlGaInP LED是目前光电子器件研究领域的国际前沿和热点，伴随工业制备技术的日趋成熟，其稳定性和发光效率都得到了明显的提升.......
为探索界面工程对二维材料范德华异质结构中载流子复合率的影响,本工作基于界面键弛豫理论和费米黄金定则,建立了范德华异质结俄歇......
自从OLED及QD-LED提出以来,因其在能源消耗、显示质量、低成本以及轻便等特点,所以已经成为显示领域研究的热点。本文以研究OLED及......
半导体量子点是准零维结构,不同于其体材料,具有类似于原子的分立能级,也被称为“人造原子”。其中,胶体量子点的光学性质具有明显......
