偏参数相关论文
利用湿氧化法在单晶硅表面引入活性基团（Ｓｉ－ＯＨ），然后与１，２－二溴乙基三乙氧基硅烷及染料中间体进行多步化学反应，最终在单晶硅表面生成光敏染料２，２＇，菁......
研制成测量材料光学特性的红外椭圆偏振光谱仪，其测量波长范围为２．５～１２．５μｍ，入射角度在２０°～９０°连续可变．系统数据采集、前放自动增益控制、入射角......
用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2......
一、导言椭园偏振仪是当前研究薄膜表面现象的一种新方法。在半导体器件领域它研究Si—SiO_2及GaAs等材料的参数;在金属抗腐蚀学......
给出了一种旋转检偏器式激光自动椭偏仪检偏器方位角的校正方法。方法的基本点是测量同一样品在不同起偏器方位角时反射光偏振状态......
本文在旋转检偏器式椭偏仪原理的基础上,通过分析影响椭偏参数Ψ、Δ测量精度的主要因素,提出改进的测量方法,从理论上给出提高Ψ......
本文简要介绍了自动椭偏仪的系统结构和硬件电路设计，着重叙述仪器的软件设计。
This article briefly introduced the automatic ......
设计和制备了一种用于1064nm分振幅光偏振测量仪(DOAP)的具有多层介质薄膜结构的差分相移分束镜。通过理论分析该DOAP系统的仪器矩......
应用空心阴极离子镀膜技术，制备了纯铬薄膜样品。样品可在不同的温度和时间下进行退火处理。同时应用椭圆偏振测量术的多角入射法对......
推导出一组具有特殊择优取向的各向异性薄膜的椭偏公式,并以光轴沿着薄膜表面及光轴垂直薄膜表面的各向异性薄膜为例,分别在透明和......
本文用双晶衍射给出了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．用Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ—Ｍａｒｇｕａｒａｔ法模拟实验曲线，根据ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ后，晶格应变随注入深度、注入剂量和退......
采用乙烷气体辉光放电法在单晶Si衬底上制备了名义厚度分别为75,150和250nm的类金刚石碳(DLC)薄膜,除沉积时间外其他工艺参数完全......
近年来,有一些工作研究用椭偏光法测定离子注入硅.这些都是在单一波长下进行测量的.但是,离子注入损伤只在样品表面一薄层内,即使......
一、引 言 硅片上厚度在6A|°-50A|°范围内的超薄氧化层的性质已引起人们的广泛注意.因为它不仅在一些半导体器件制造中起关键作......
测量了研磨-退火硅样品的椭偏光谱,用OL模型和有效介质理论进行分析,发现椭偏谱的差分既不完全符合OL模型又不完全符合有效介质理......
对逆系统建模时,原系统的输出作为逆系统参数辨识时的输入.由于原系统输出存在测量噪声,且噪声方差未知,采用普通最小二乘法辨识,......
本文给出广义岭估计β（K）的偏参数K选择的D（Q）准则和均方误差无偏估计的极小化准则，以及偏参数K的最优解公式。它使广义岭估计β（K）的均方......
