通过对p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算,分析了同一样品处于不......

根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理 ,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型 ,解释了表面态敏感型的真空传感器的......

采用１ＭｅＶ高能电子，选择７种辐照剂量：１０￣（１３）、３×１０￣（１３）、１０￣（１４）、３×１０￣（１４）、１０￣（１５）、３×１０￣（１５）、１０￣（１６）ｃｍ￣（－２），对两种不同电阻率的Ｎ型单品硅进行电子辐照。采用光伏方法测量辐照前后......

本文报道了应用变温光伏方法对半导体表面能级,表面态密度的非破坏性测量原理。通过一定的模型简化,将Shockly-Read体复合理论应用......

本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表......

根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理，提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型，解释了表面态敏感型的真空传感器的各有......

提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon 和σ-p的新方法.此法基于变温光伏测量，采用（111）p型硅单晶（NA=1.5×......