半导体表面相关论文
随着人们对计算能力要求的不断提高,电子器件的尺寸越来越小,速度越来越快,逐渐发展为分子电子器件。其中,一维分子线因其独特的力......
该文建立P型半导体上激光诱导电沉积金属的界面模型。在两个假设基础上导出了光电流与电子动力学特性，外加偏压，及激光强度的关系式......
环境和能源与人类生存发展密不可分，环境是人们生产生活的场所，人类赖以生存的基础；人类源源不断物质基础都依赖着我们生存的环境，环境......
氧气是一种绿色且廉价的氧化剂,在有机氧化反应中扮演着重要角色。利用半导体材料在太阳光驱动下活化氧气分子,可以实现从太阳能到......
本工作应用截面扫描隧道显微镜(XSTM)研究了In0.53Ga0.47As/InP异质结构的(110)解理面.扫描隧道谱(STS)测量结果显示,InGaAs的电流......
用放化示踪原子法研究了八种低能级杂质元素对硅和二氧化硅表面的沾污。标记痕量组分使用的放射性同位素是 Au~(198)、Cu~(64)、Fe......
一引言低温等离子体化学是当前研究和应用开发十分活跃的一个领域。在金属及半导体表面刻蚀,金属及高分子材料的表面改性,各种薄......
国外科技半导体光催化氧化有机物的研究及发展１前言以太阳能化学转化和储存为主要背景的半导体光催化特性的研究始于１９１７年［１］，但将半导体材......
半导体光催化在环境保护和未来新能源开发等领域中具有重要的作用和意义.由于参与光催化反应的主体是光生载流子,并涉及光生电子和......
原子力显微镜及应用张亦奕，贺 节，商广义，姚骏恩（中国科学院北京电子显微镜实验室，北京１０００８０）八十年代后期问世的原子力显微镜（ＡｔｏｍｉｃＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，简称ＡＦＭ）是观察表面......
用XPS分析了盐酸处理前后的GaAs(100)表面。未处理GaAs(100)表面上有约1.7nm厚的氧化层;盐酸处理可除去氧化层并在表面上形成一层......
对双原子分子O2与Si（100）－2×1重构表面的相互作用过程进行了动力学研究。建立了相互作用系统的LEPS势能超曲面，并在此基础上采用准经......
研究了用直流气体放电活化反应蒸发沉积法技术制备的超微粒子复合薄膜的电学性质及气敏性质，并对其作用机理进行了分析解释．
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采用以碳纤维为碳源的固态源MBE技术，生长了不同厚度的重接碳GaAs以及具有不同表层厚度的δ碳掺杂GaAs，通过Nomarski干涉显微镜和原......
用低压 MOCVD 法生长了 n 型 GaN 薄膜,对其肖特基势垒进行了表征和推导。真空度低于1×10~(-6)Torr 时,用电子束蒸发淀积 Pt 或 P......
根据缺陷化学理论和半导体表面化学吸附理论，对体电导和表面电导分别提出了两个简化模型──单电离氧空位模型和一维积累层模型，解释......
本文介绍金属氧化物气敏特性研究的概况，以及我们最近完成的两个理论框架：①反应动力学理论；②扩散反应理论．
This article presents ......
用EHMO方法计算了SnO_2(110)面原子簇模型,并计算了表面存在氧空位和氧原子吸附的情况.计算结果表明,表面四配位锡原子是吸附中心,......
反射型魔镜检测方法（Ｒ－ＭＭ）是基于“局域波面畸变”缺陷成像原理的一种光学无损检测方法．我们采用Ｒ－ＭＭ方法检测了大量的硅片和硅外延片，非常方便......
综述了金属氧化物半导体气敏元件的掺杂技术,探讨了掺杂作用的机理,列举了对最典型半导体气敏元件的掺杂以及掺杂对气敏元件灵敏度......
随着硅材料加工技术的发展,拉制大面积单晶Si的工艺日趋成熟。借助激光的沉积技术由于在微电子线路器件的制造和修复方面具有良好......
本实验采用ＴＨＺ波形测量的方法获得了镀金的砷化曾晶体，金属半导体界面两侧费米面的弛豫平衡的时间常数是１２ｕｓ．实验中ＴＨｚ电磁波的发生机制是。飞......
本文描述利用光扫描和外加温度梯度获得热微分反射光谱的方法，以及用这种方法研究ＧａＡｌＡｓ薄膜和ＧａＡｓ体材料的结果．热微分反射光谱显示了材料在一......
利用 ＭＯＣＶＤ工艺可制备得到锐钛矿型ＴｉＯ２薄膜，在其上溅射金属 Ｐｔ并控制工艺流程的温度，Ｐｔ／ＴｉＯ２间将形成良好的金半整流接触．该Ｐｔ／ＴｉＯ２肖特基二极管在常温下表现出......
VDMOS功率场效应管根据导电载流子的不同,分为N沟道和P沟道两类,其中以N沟道应用为多。下面以N沟道为例介绍VDMOS功率场效应管及......
半导体材料的表面精密加工技术是半导体工艺技术的一个组成部分。在大规模集成电路的设计和制造中，要求将半导体的表面粗糙度加工达......
综述了国家同步辐射实验室在半导体表面和界面的同步辐射光电子能谱研究。其中包括碱金属在半导体表面的吸附及其对半导体表面氧化......
经中国物理学会批准,第一届全国固体表面会议、第二届全国半导体表面和介面物理会议将于今年第四季度召开.会议将在以下有关方面进......
全国第二次半导体物理学术会议于1979年11月8～14日在合肥举行,会议收到学术报告93篇,分别进行了大会、小组和书面交流,内容涉及半......
前言近年来,国内外用气敏半导体作为气体鉴测器已很普遍。我们研制了一种N型气敏半导体作为气相色谱鉴测器。并用之对稀有气体中......
半导体表面杂质的清洗工艺是半导体器件生产中关键的工艺之一,它对器件性能有很大影响.目前普遍使用腐蚀性强的硝酸、盐酸、硫酸......
一、前言钢铁的表面分析技术与半导体表面分析一样,近年来取得了很大进展。钢铁材料由于存在着强度和耐腐蚀性的问题,因而其表面......
用放射性同位素示踪法研究清洗剂“811”和“812”对半导体表面沾污杂质的清洗效果表明,用811、812清洗半导体表面沾污的蜡和油脂......
生产和科学实验的需要是分析化学发展的动力,学科之间的相互渗透是分析化学发展的基本规律。一个时候分析化学能发展到怎样的水平......
概述了嘌啉和金属嘌啉化合物及其结构、合成和用途。
Overview of purine and metal purine compounds and their structure, syn......
本文介绍了用光声光谱法测量吸附有若丹明6G及若丹明B的半导体粉末表面光化学反应的结果,对其机制进行了简单讨论。这项技术可用于......
根据原子杂化轨道指向与键方向一致的假设,结合原子的电子轨道正交归一性条件,导出了共价半导体表面原子杂化轨道与原子结构位置的......
激光冷却是产生超冷原子的常用办法,最近,美国约翰霍普金斯大学的Ja-cob Khurgin却创造性地提出用激光来冷却半导体材料。虽然还没......
采用组合材料方法研究了金属Ni膜厚对Ni/SiC接触性质的影响.16个膜厚均为18nm的Ni/SiC电极具有较为一致的肖特基接触性质;膜厚从10......
采用旋转涂膜工艺 ,以溶胶 凝胶法在玻璃表面制备了掺杂铈的TiO2 薄膜 .利用高压液相色谱、紫外 可见光分光光度计、扫描电镜和......
综述了近年来国内外光催化剂的制备及其改性 ,重点介绍了催化剂固定技术方面的研究 ,为今后开发新型、高效、实用的光催化剂提供有......
