光发射显微镜相关论文
介绍了一种针对砷化镓集成电路（GaAs IC）金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构（如金属化互连、MIM结构、肖特......
光发射显微分析、光致电阻变化技术两种电失效定位方法在精确定位缺陷上存在局限性,为此提出了基于SEM电压衬度的联用方法用于精确......
随着近年来多晶硅薄膜晶体管(P-SiTFT)技术的不断发展，其应用越来越广泛，并逐渐被视为传统非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT)的理想替代品。......
在半导体器件的失效分析中,缺陷定位是必不可少的重要环节。光发射显微镜(PEM)是IC失效定位中最有效的工具之一。PEM利用了IC器件......
光发射显微镜(PEM)是90年代发展起来的一种高灵敏度、高分辨率的新型缺陷定位分析技术.随着半导体器件线宽的不断下降,光发射显微......
介绍了一种针对集成电路氧化层失效的定位和分析技术。采用光发射显微镜、光致电阻变化技术,对比出电路中不同的发光机构或电阻变......
<正> 1 引言 电子元器件的失效分析技术,由于集成电路的产生和发展,发生了重大的变革。 从80年代初VLSI出现,至今线宽已减到亚微米......
随着集成电路特征尺寸的不断减小,作为失效分析重要一环的失效定位技术也要做出相应的变革,传统失效定位手段在如此大的区域里去精......
漏电流增大是集成电路的主要失效表现,通过光发射显微镜(PEM)和光束感生电阻变化(OBIRCH)技术互补地结合使用,对集成电路中常见的P......
随着半导体行业在摩尔定律的指引下不断的发展,集成电路变得越来越小型化、多功能化,工艺的发展以及随之而来的成本的增加成为一对......
失效分析技术是研究电子元器件产品失效机理、提高产品良率和可靠性的重要手段。随着现代半导体制造技术从深亚微米时代进入纳米时......
光发射显微镜（PEM）系统是应用于微电子器件漏电流定位和分析的有效工具。利用PEM系统的激光光束诱导阻抗变化（OBIRCH）功能和光发射（EMMI......
静态电流测试是一种高灵敏度、低成本的集成电路失效分析技术，在集成电路故障检测、可靠性测试及筛选中的应用日益普遍。针对某绝缘......
激励源诱导故障测试（SIFT）是一种新型的失效定位技术,可用于集成电路和分立器件中漏电、击穿、短路等失效点的定位及失效机理的分析......
