光电压法相关论文
本文用表面光电压法测定了半导体材料的光跃迁类型和带隙参数,推导了有关的计算公式,测定了Ge、Si、GaAs、InP、GaP、AlGaAs,GaAsP......
本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数......