全工艺角低温漂相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

全工艺角低温漂相关论文

一种高电源抑制比全工艺角低温漂CMOS基准电压源

基于SMIC0．35μm的CMOS工艺．设计了一种高电源抑制比，同时可在全工艺角下的得到低温漂的带隙基准电路。首先采用一个具有高电源抑制比......

期刊

带隙基准电源抑制比全工艺角低温漂可修调电阻 bandgap voltage reference PSRR ＇ low temperature coef

看过本文同时还关注