共振隧道二极管相关论文
随着信息技术的高速发展,需要处理的信息量激增,而晶体管体积缩小即将达到极限,使得依赖于集成电路技术的领域发展遇到了瓶颈。细......
随着微电子技术的迅速发展,提高集成电路(IC,Integrated circuit)的集成度已经成为一个亟需解决的难题。有效解决这个问题的方法有......
The MOBILE is a logic element realizing the monostable-bistable transition of a circuit that consists of two resonant tu......
用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管，常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1．13，Jp(峰值电流)=1．589......
隧道电子技术由微米时代进入纳米时代，基于最子隧道效应的器件和电路显示出其优越性。本文介绍两种电子隧道器件：双电子层晶体管和共......
基于砷化镓高性能共振隧道二极管(RTD)结构采用分子束外延技术生长。其结构与普通的RTD不同,这种RTD在砷化铝势垒顶层交界处增加了......
