研究了抗辐射加固功率VDMOS器件在不同偏置条件下的高/低剂量率辐射损伤效应,探讨了阈值电压、击穿电压、导通电阻等电参数在不同......

通过Sentaurus TCAD对一种SOI LDMOS进行辐射损伤模拟仿真。使用了Sentaurus TCAD仿真辐射效应适用的模型,分析了SOI LDMOS的总剂......

集成电路在高剂量率辐射环境下会产生很强的瞬时光电流,造成存储电路翻转、逻辑和模拟电路强烈扰动,对于CMOS电路则会出现闩锁等问......