设计了一种新结构InP/InGaAs/InP双异质结双极晶体管(DHBT),在集电区与基区之间插入n+-InP层,以降低集电结的导带势垒尖峰,克服电......

对用于光电集成（OEIC）的InP基异质结双极性晶体管（HBT）进行了分析，提出了一种新的集电区外延结构，该结构在集电极区和次集电区之间插入一......

设计了一种新结构InP／InGaAs／InP双异质结双极晶体管（DHBT），在集电区与基区之间插入n^＋-InP层，以降低集电结的导带势垒尖峰，克服电流阻挡效......

为了降低InP DHBT的B-C之间的导带势垒，抑制电流阻挡效应，采用了一种含InGaAsP的复合式集电区结构，第一次从理论上分析了此种类型的复......