单源真空共蒸发在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜。用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的相结构进行表征，研究不同Cu、In、S元素配比、不同热处理......

将高纯Cu,In和S粉末按1:0.1:1.2(原子个数比)配比混合均匀,热蒸发沉积CuInS2薄膜,再将薄膜进行热处理。研究热处理工艺对薄膜性能......

真空单源共蒸发法制备Zn掺杂SnS2薄膜,氮气保护对薄膜进行不同条件热处理.用X射线衍射仪、原子力显微镜、手动轮廓仪、光电子能谱......

将单质Cu、In和S粉末按一定比例均匀混合,单源共蒸发沉积CuInS2薄膜.氮气保护对薄膜进行热处理.研究不同热处理条件对薄膜表面形貌......

高纯Sn和S粉按1∶0.41（质量分数,%）配比,均匀掺入9（质量分数,%）的高纯Zn粉,单源共蒸发沉积薄膜后再进行热处理,得到Sn2S3∶Zn薄膜。XRD......