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在550℃用原子层外延生长了 GaN 单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制,其强度与在1000℃通过金属有机......
1989年10月20日至24日在安徽省太平县由中国有色金属学会半导体学术委员会召开了1989年全国 GaAs 及有关化合物会议和第一届全国 ......