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在提出双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFET新结构的基础上,模拟了沟道长度为25nm时基于新结构的CMOS瞬态特性.结果表明,单栅工作模式......
提出了一种全新的器件结构——双栅双应变沟道全耗尽SOIMOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟......
应变Si/SiGe技术以其高载流子迁移率等优异特性受到广泛关注,但当前报道的应变沟道器件仍存在一些问题亟待解决,主要归结为以下几......
