双栅金属-氧化物-半导体场效应管相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

双栅金属-氧化物-半导体场效应管相关论文

短沟道双栅MOSFET的亚阈值特性分析

基于泊松方程和拉普拉斯方程，结合双栅MOSFET的边界条件，采用牛顿一拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚......

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双栅金属-氧化物-半导体场效应管亚阈值特性摆幅短沟道效应 double-gate MOSFET subthreshold characteristics

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