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变温电学特性相关论文
硅基水平Ⅲ-Ⅴ族纳米线晶体管的研究
依据摩尔定律,CMOS晶体管的特征尺寸呈周期性缩减。目前高性能微处理器已经实现了14/16nm制程的量产,然而对于体硅鳍型场效应晶体管(......
学位
纳米线晶体管
平面硅衬底
界面态
变温电学特性
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