本文介绍了一种用于磷化铟（InP）器件金属剥离工艺的多靶共焦式磁控溅射设备。通过正交实验摸索不同靶基距、靶角度对薄膜均匀性的影......

薄膜晶体管(Thin film transistor,TFT)的栅极在截面方向上是一个台阶,栅极绝缘层(Gate Insulator,GI)和源漏极(Source和Data电极,......

采用超声雾化喷涂技术,以AZ4620光刻胶为研究对象,以硅通孔(TSV)刻蚀后的硅片为基材,在12英寸(1英寸=2.54 cm)结构化晶圆表面喷涂......

随着集成电路工艺进入深亚微米阶段,后端的金属互连大多采用铜互连技术。但由于铜的扩散问题,接触孔工艺还是采用钨填充技术。随着......

对铝金属化工艺中存在的台阶覆盖率低和铝穿刺问题进行了讨论和分析,在此基础上对CCD铝金属化工艺进行了优化。采用冷铝+热铝两步......