同质外延生长相关论文
第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具有击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高、耐腐蚀等优良的物理化学特性,非常适合于制作高......
本文用化学气相淀积(CVD)的方法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显......
在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射,原子力显微镜(AFM),汞探针C-V以及霍尔效应,对样......
过去三十年中,氮化物半导体器件都是采用异质外延的方式生长在蓝宝石、碳化硅或者硅衬底上面,已经取得了巨大的成功.材料中的缺陷......
本文采用微波等离子体化学气相沉积法,研究了单晶金刚石同质外延生长,特别是生长过程中单晶金刚石样品边缘不同角度倾斜面及衬底基......
利用水平热壁CVD方法,基于SiH4-C3 H8-H2生长系统在n型4H-SiC偏4°衬底上进行同质外延生长.通过Nomarski光学显微镜、激光共聚焦显......
采用低压化学气相淀积(LPCVD)方法在偏向晶向8°n型4H-SiC(0001)Si面衬底上水平热壁反应室进行同质外延生长。利用原子力显微......
SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质,成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点,特别是SiC的外延生长,更是人们关注的方......
ZnO作为Ⅱ-Ⅵ族化合物第三代半导体材料，它具有宽的直接带隙(3.37 eV,300 K)，大的激子束缚能(60 meV)，高的熔点(2248 K)，高的抗辐射性......
针对高速、高质量金刚石单晶外延的优化工艺技术，本文利用自行研制的10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)......
本论文以提升GaN基发光器件的性能为主要目的，研究GaN基发光器件中关键材料的MOCVD外延生长，取得了以下主要研究成果: 1、 InGaN......
4H-SiC材料具有许多优于硅材料的优良性质，已成为国际上新材料、微电子和光电子领域研究的热点。本文对同质外延生长的4H-SiC材料中......
随着科技的发展，薄膜制备技术的应用越来越广泛。薄膜科学研究成果转化为生产力的速度愈来愈快。由于薄膜的生长过程非常复杂，用实验......
针对高功率密度微波等离子体化学气相沉积法生长单晶金刚石过程中,金刚石籽晶表面温度容易发生漂移的问题,提出了一种新的基片托盘......
使用FEMAG晶体生长模拟仿真软件及自主开发的PVT法有限元多相流传质模块对用自主设计的全自动、双电阻加热气相沉积炉同质外延生长......
在Al(110)表面的同质外延生长中，实验上观察到许多由特殊小面围成的较大的量子点．这些长方盒形的量子点要比外延膜的平均厚度至少高......
利用水平热壁CVD方法,基于SiH4-C3H8-H2生长系统在n型4H-SiC偏4°衬底上进行同质外延生长。通过Nomarski光学显微镜、激光共聚......
在超高真空下利用激光分子束外延(LMBE)方法基于SrTiO3(100)单晶基片同质外延SrTiO3薄膜.通过反射式高能电子衍射(RHEED)对生长过......
为了获得高质量4H-SiC外延材料，研制出一套水平式低压热壁CVD(LP-HWCVD)生长系统，在偏晶向的4H-SiC：Si(0001)晶面衬底上，利用“台阶控......
对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带......
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......
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氮化铝(AlN)具有超宽禁带宽度(6.2 eV)、高热导率(340 W/(m·℃))、高击穿场强(11.7 MV/cm)、良好的紫外透过率、高化学和热稳......
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5......
本文使用金刚石磨料作为晶种颗粒,通过热丝化学气相法生长出单晶金刚石颗粒,并且建立三维的有限元模型,利用有限元仿真分析了生长......
简要介绍了半导体金刚石材料优异的电学和光学性质、主要制备方法以及采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术在制备高质量半导......
文章采用微波等离子体化学气相沉积法,以单晶金刚石籽晶为衬底进行金刚石外延生长,通过拉曼光谱、扫描电子显微镜及光学显微镜等多......
近年来，大尺寸化学气相沉积（CVD）金刚石单晶的高速生长和性质研究，引起国内外众多研究者的关注,引入不同气氛高速生长CVD金刚石单晶成......
以Ib型（100）取向高温高压（HPHT）单晶金刚石为基底、H2-CH4-CO2混合气为反应气源,利用10kW、2.45GHz不锈钢谐振腔式微波等离子体化学气......
