场发射阵列阴极相关论文
利用集成栅控CNT场发射阵列阴极的制造技术,研制了一种生长在Mo尖上的单根CNT场发射阵列阴极.高分辨率扫描电子显微镜照片表明,在......
场发射阵列阴极作为一种新型电子源，具有体积小、功耗低、响应速度快、抗辐射、工作温度范围宽等优点，在众多领域有着重要的应用前景......
Spindt型场发射阴极具有工作温度低、可控制性强、发射电流大、响应时间短等优势，拥有广阔的应用前景，但场发射阴极阵列在制备过程中......
分析了场发射阵列阴极的跨导、电容以及阵列阴极的发射电流密度、电子束直径、电流稳定性对微波器件性能的影响，并提出了相应的改善......
给出了场发射阵列阴极的发展概况和制造方法,讨论了采用场发射阵列阴极作为行波管电子源的可能性和电子枪设计的有关问题,对采用场......
为了提高传统Spindt型场发射阵列阴极的稳定性,提出了一种新型的LaB6复合型场发射阵列阴极结构,该结构包括非晶硅电阻层、钼过渡层......
在修改常规Spindt型阴极制备工艺的基础上制作出低电压驱动且具有亚微米栅极孔径的场发射阵列，采用硅的局部氧化工艺制备栅极绝缘层......
六硼化镧（LaB6）场发射尖锥阵列的刻蚀工艺是制备LaB6场发射阵列阴极的关键。在（111）面单晶LaB6基片上，用等离子体增强化学气相沉积法制......
该文基于ANSYS平台模拟了场发射阵列阴极与钼电极钎焊工艺参数对钎焊层等效应力的影响,并根据仿真结果进行了实验验证.仿真结果表......
本文提出共面双栅极金刚石薄膜的场发射阵列阴极(FEAs),它由平行的栅极、共面反射极和长条型的金刚石薄膜场发射体组成.采用PIC粒......
本文重点介绍一种带集成栅极的碳纳米管场发射阴极(CNTFEA)的制造工艺.研制了两种类型的栅控CNTFEA.一种是在微孔的底部生长CNT,另......
Spindt型场发射阵列具有可在室温下工作、启动速度快、稳定性强、低功耗和发射电流密度高等优点,在平板显示器、行波管和传感器等......
以场致发射理论为基础的真空微电子器件,因其具有体积小、功耗小、电压低、速度快、抗辐射及工作温度范围宽等显著的特点而倍受人......
与传统的热阴极相比,场发射阵列阴极具有许多独特的优点,如无需加热,可以在室温下工作;电流密度比热阴极高几个数量级,并可工作在......
