4H-SiC场效应晶体管(4H-SiC MESFET)是下一代微波功率器件的理想选择,在微波频段以及高功率输出的半导体器件应用中,4H-SiC MESFET......

通过对双凹栅结构和阶梯栅结构4H—SiCMESFET的直流特性对比，得出阶梯栅结构的直流特性优于双凹栅结构。对阶梯栅结构进行极限化处......