外加偏压相关论文
在近年来,人们在工业生产的等离子体辅助工艺中,在极板上外加偏压得到了广泛地应用。以此可以获取更高的离子轰击能量,并且可以用......
我们使用GaN基材料制备了PIN结构核辐射探测器，研究了探测器对X射线响应的多方面性能.在没有X射线照射时，探测器具有很低的漏电......
理论研究了GaAs的倍频效应,当基频光电场的偏振方向沿[111]方向时,倍频效应最显著;当基频光垂直于半球形GaAs样品的(001)底面入射......
我们由TF FD AM SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加偏压的变化出发,对其在-5V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的探讨,导出......
在近年来，人们在工业生产的等离子体辅助工艺中，在极板上外加偏压得到了广泛地应用。以此可以获取更高的离子轰击能量，并且可以用此方......
采用直流离子束溅射法,在n型单晶硅衬底上淀积Si1-xGex薄膜。俄歇电子谱(AES)测得Si1-xGex薄膜的Ge含量约为0.15。对薄膜进行高温......
报道用SiF4 和H2 的间接微波等离子体化学气相沉积方法低温生长多晶硅 (poly Si)薄膜 .实验发现 ,等离子体中的离子、荷电集团对薄......
由于组成ECM的零部件的材质和这些零部件在制造过程中工艺特性的不同，使ECM组装后的电声特性受到了较显著的影响。分别对组成ECM的......
以有机和钙钛矿为代表的新型太阳能电池,凭借其轻质,便携,柔性以及便于卷对卷大面积生产等优势,逐渐成为国际上的研究热点。近年来......
本文介绍了一种利用电致荧光成像表征太阳能电池串联电阻分布的方法。太阳能电池的电致荧光强度Фi与外加电压U呈现指数关系,而U-n......
本文应用Ａｉｒｙ函数和散射矩阵方法研究了外加偏压对三元准周期超晶高能态电子隧穿性质的影响。......
利用Ａｉｒｙ函数并应用转移矩阵方法，研究了三元准周期超晶格的电子共振隧穿着重讨论了不同外加偏压对隧穿性质的影响。结果表明，外加偏压对......
对一般情况下肖特基接触的机理和肖特基势垒高度的影响因素做了系统分析,研究了肖特基接触特性的不均匀性及其原因,指出多晶界面势......
TiO2光催化纳米半导体是近几十年开发出来的新型功能材料之一,以其廉价、无毒、光化学性能活泼、抗光腐蚀性能强等优势,成为理想光......
本文在有效质量近似下,选取双量子阱异质结构GaAs/Al0.3Ga0.7As作为电子隧穿输运的结构,利用投影格林函数方法(PGF)和递归法,研究......
