多位翻转相关论文
随着制造工艺技术的不断发展，器件的结构尺寸不断缩小，存储单元灵敏区的体积及其发生单粒子翻转的临界能量随之减小，高能粒子辐照......
随着集成电路和航天技术的快速发展,集成电路中的器件尺寸进入纳米量级,工艺的提升使晶体管中含有的掺杂粒子越来越少,导致晶体管......
集成电路设计与制造工艺的飞速发展使得特征尺寸越来越小,尤其是进入纳米级工艺之后,电路的阈值电压进一步降低,集成的晶体管数目......
随着微电子器件集成度增加,由入射离子在器件灵敏区内引起的δ电子分布对器件单粒子效应的影响越来越显著;尤其是它极易引发多位翻......
文章首先分析了影响CMOS工艺下SRAM单粒子翻转效应的失效物理机理,然后提出一种加固PMOS管的10T存储单元电路。基于130nm CMOS......
本文主要对多位翻转(MBU)的产生模式和影响因素及加固进行了介绍,首先对各种不同粒子产生MBU的模式进行说明,然后对几种影响MBU产......
纳米技术的实现使半导体电路与系统的应用更加普遍,并向着大规模、高速、小面积发展。但是这种趋势也使得集成电路易受到辐射产生......
随着集成电路特征尺寸的不断缩小,静态随机存储器对空间辐射、核辐射环境甚至地面辐射环境都非常敏感,辐射产生的带电粒子会引发软......
基于重离子加速器的地面模拟试验是单粒子效应研究的主要方法之一。然而随着微电子技术的发展，先进工艺半导体器件中的单粒子效应越......
利用微束和宽束辐照装置分别对两款65 nm双阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转(multiple-cell upset,M......
新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中,但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多......
利用兰州重离子加速器加速的高能离子研究了入射角度对IDT71256的单粒子翻转截面和多位翻转比例的影响.研究表明:在大角度掠射轰击......
通过软件模拟解释了SoC静态随机存储器单粒子实验中发现的多单元翻转以及物理地址存在固定差值的现象。采用Cadence软件设计了3X3 ......
针对TSMC 0.18μm CMOS工艺分析了高能粒子入射漏区以及周围区域时NMOS管的电荷分享和电荷收集情况,并定量评估了节点隔离对电荷分......
SRAM型FPGA在辐射环境中易受到单粒子翻转的影响,造成电路功能失效.本文基于图论和元胞自动机模型,提出了一种针对SRAM型FPGA单粒......
sram型fpga配置区的单粒子翻转可能对系统的功能产生严重的影响,因此必须进行针对性的加固措施,而加固的重要依据之一是在轨翻转率......
缩短汉明码及其改进码字被广泛使用在宇航级高可靠性存储器的差错检测与纠正电路中。作为一种成熟的纠正单个错误编码,其单字节内......
航空航天电子系统对电子器件选型评估时需考虑器件的多单元翻转(MCU)情况,而MCU信息提取面临的最主要困难是缺少器件的版图信息。......
以SRAM型FPGA为试验对象,研究脉冲激光模拟重离子产生单粒子多位翻转效应的可行性.FPGA的多位翻转依据其物理位置关系的不同分为3......
针对SRAM(Static Random Access Memory)型FPGA单粒子翻转引起软错误的问题,该文分析了单粒子单位翻转和多位翻转对布线资源的影响......
为了提高宇航用存储器的抗单粒子翻转能力，本文对传统的单错误修正、双错误探测（SingleErrorCorrectionandDoubleErrorDetection，SEC-......
针对90nm和65nmDDR（双倍数率）SRAM器件，开展与纳米尺度SRAM单粒子效应相关性的试验研究。分析了特征尺寸、测试图形、离子入射角度、......
利用器件仿真工具TCAD,建立28nm体硅工艺器件的三维模型,研究了粒子入射条件和器件间距等因素对28nm体硅工艺器件单粒子效应电荷共......
由于集成电路工艺技术的发展,晶体管特征尺寸越来越小,辐射环境中的粒子入射的影响越来越严重,导致集成电路越来越容易发生单粒子......
随着存储单元敏感节点临界电荷量的减少,一次粒子辐射事件可以影响更多存储单元,产生多位翻转。为了保障存储器内存储信息的安全,......
新兴的三维静态存储器将代替二维静态存储器被广泛用于高性能微处理器中，但它依然会受到软错误的危害。为了能够快速、自动分析多层......
利用微束和宽束辐照装置分别对两款65nm双阱CMOS静态随机存储器（SRAM）进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转（multiple-cell upset,MCU）类......
利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器（SRAM）进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数......
利用中国原子能科学研究院重离子加速器,开展了不同特征尺寸（0.35～0.13μm）CMOS工艺、不同集成度（1M、4M、8M、16M）静态随机存储器（SRAM）......
利用中国原子能科学研究院100MeV质子回旋加速器开展了一系列不同特征尺寸双数据速率(DDR)静态随机存储器(SRAM)单粒子效应实验研......
近年来随着我国航天科技不断攀升,对辐照环境应用微处理器的高可靠性需求越发迫切。SRAM作为微处理器核心存储部件占用较大芯片面......
提出了一种新颖的二维纠错码电路，可以有效地抑制辐射引起的存储器多位翻转。提出设计方法的最大特点是可以修正任意指定宽度的多位......
为了纠正辐射环境中的高能粒子对存储器造成的多位翻转,研究了一种矩阵纠错码电路,对存储器进行有效的抗辐射加固。提出了一种矩形......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
我国航天科技近年来取得了飞速的发展,对航天器中所采用的先进集成电路辐射加固技术的研究也迫在眉睫。随着抗辐射集成电路迈入纳......
为减少多位翻转（multi-bit upset,MBU）对星载计算机的危害,提出了一种抵御单粒子多位翻转的系统自恢复技术.该技术利用硬件EDAC（error......
由于基于SRAM的FPGA具有灵活性强、可重复编程和低开发成本等特点,因此被广泛应用于通信、消费类电子产品、国防军工和航空航天等......
辐射环境中的高能粒子入射半导体材料时,其轨迹上淀积的电荷将被敏感节点收集,引发单粒子效应。单粒子效应将引起存储数据错误,影......
随着集成电路朝着更小的工艺尺寸,更高及集成度发展时,辐射环境中的粒子入射的影响越来越严重。因为粒子入射造成的单粒子效应已经......
超深亚微米器件具有特征尺寸小、体积小、集成度高、功能强等特点。为了满足现代航天器性能不断提高的要求，需采用超深亚微米器件。......
