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多凹槽栅相关论文
新结构4H-SiC MESFET设计与实验研究
碳化硅(SiC)由于具有禁带宽度大、临界位移能高、热导率高等优点而成为制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体......
学位
4H-SiC
MESFET
外延结构
源场板
多凹槽栅
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