多晶硅掺杂相关论文
研究了可取代多晶硅扩散掺杂的离子注入掺杂工艺,通过两种掺杂方式对CCD栅介质损伤、多晶硅接触电阻及均匀性等关键参数影响的对比......
采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深......
保护管电路是一种抗静电保护电路。采用多晶硅磷掺杂工艺，有效抑制了因多晶硅厚度减少引起的多晶硅电阻的调试问题，解决了保护管电路......
