硼扩散引起薄SiO2栅介质的性能退化

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【摘要】

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采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深亚微米CMOS工艺中被采纳.但是多晶硅掺杂后的

【作者】

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高文钰刘忠立梁秀琴于芳聂纪平李国花

【机构】

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中国科学院半导体研究所,北京,100083

【出处】

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电子学报

【发表日期】

：

1999年8期

【关键词】

：

硼扩散薄栅介质性能退化阈值电压多晶硅栅多晶硅掺杂杂质扩散深亚微米开关特性击穿性能击穿电荷工艺过程短沟效应可靠性界面态电应力器件

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采用表沟p+多晶硅栅/PMOSFET代替埋沟n+多晶硅栅/PMOSFET具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点,因而在深亚微米CMOS工艺中被采纳.但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散到薄栅介质和沟道区内,引起阈值电压不稳定和栅介质击穿性能变差.迄今为止对硼扩散退化薄栅介质可靠性的认识并不是很明朗,为此本文考察了硼扩散对薄栅介质击穿电荷和Fowler-Nordheim (FN)电应力产生SiO2/Si界面态的影响.

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