大信号模型相关论文
随着5G通信系统,下一代6G网络,卫星通信,商业和军事航空电子设备的发展,具有高击穿电压、低介电常数、高功率密度、最佳功率器件、......
采用调制掺杂氮化镓（GaN）异质结结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）在过去的十年中得到了迅速的发展,GaN被认为是高频和大功率相结合的最......
随着5G时代的到来,以硅（Si）和砷化镓（Ga As）材料为代表的第一、二代半导体,已经无法满足当前大功率场景应用的需求,而以氮化镓（GaN）为首......
随着当今大规模集成电路和无线通信技术的生产和使用,电子信息工业迅速崛起并成为重要高新技术产业。由于电子市场需求的爆炸增长,......
为了满足通讯系统日益增长的性能指标,亟需研发更加强大的微波功率器件。用GaN材料制作的高电子迁移率晶体管(HEMT),因其高频率、......
近年来,新一代半导体材料氮化镓(GaN)具备禁带宽、电子饱和速率高、电子迁移率高、热导率高等优点,使得氮化镓高电子迁移率晶体管(......
近年来,新能源技术和储能技术得以快速发展,传统的单一集中式发电方式正逐渐转向为以集中式为主、分布式为辅的发电方式,集中式发......
微波收发前端组件进一步小型化需求推动了射频微系统的发展。随着射频微系统集成度的进一步提高,亟需所需的射频芯片也能够和传统......
提出了一种GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)建模方法.该模型以ADS(advanced design system)中的符号定义器件SDD(symbolieally defin......
该文从微波半导体器件的建模出发进行微波宽带功率放大器的设计,其主要目的是通过优化设计放大器的外部匹配电路使其在尽可能宽的......
微波功率放大器在雷达、通信、航空航天、导航等诸多领域有着越来越广泛的应用。然而由于第一代和第二带半导体自身特性的限制,他......
级联系统作为分布式电源系统中最基本的模块联接方式，其稳定性决定了整个分布式系统能否稳定运行。即使保证了每个模块可独立稳定运......
能源形式多样、网架结构灵活的独立电力系统,为独立型微网、空间站、多电飞机以及舰船全电推进系统等技术的发展提供了一种有效解......
电力电子技术作为电能控制与变换的主要技术手段，在当今社会提倡节能、环保以及低碳经济的主题下，被赋予了前所未有的重要使命。逆变......
碳化硅(SiC)材料具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度和良好的抗辐射能力等优良特性，决定了它在大功率，高......
随着现代化电子设备对半导体器件高性能、低成本、小型化等要求的进一步提高，基于宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)以及零......
随着通信设备、雷达等系统对器件大功率输出特性需求的逐步增加,第三代半导体材料应运而生。GaN作为第三代半导体材料中的代表材料......
介绍了GaAs大功率器件内匹配技术的基本原理,包括匹配电路原理、内匹配元件的参数计算方法等。以C波段40 W大功率器件为例讲述了内......
对非线性电流源Ids(Vgs,Vds)的准确描述是AlGaN/GaNHEMT大信号模型的最重要部分之一.Materka模型考虑了夹断电压与Vds的关系,其模......
针对传统PWM调制具有轻载下效率低的缺点 ,论文作者提出一种新的高效调制模式———脉冲跨周调制PSM模式 .本文对这种新的PSM开关......
针对电池电源逆变系统中的直流-直流变换器,提出了采用模糊控制和平均电流控制相结合的方法(称为模糊平均电流控制法)进行控制,并......
为解决四象限交流斩波电路在无功负载条件下的建模和纹波计算问题,应用电路大信号理论建立了电路工作在CCM模式下的大信号模型。然......
通过对差分电路在大信号模型下的集电极电流的频谱分析,讨论了差分振荡电路的非线性失真、起振条件、输出电压等特性,并简要说明了......
我们将研究CCM反激式转换器于电压模式下被漏电感影响的小信号响应。我们将从大信号模型逐步迈向逐渐简化的小信号电路原理图，以建......
提出了一个包含版图分布参数和引线寄生参数在内的微波功率HBT的宏模型，建立了通过微波仿真进行器件结构优化的技术方法。基于以上......
本文运用电荷控制分析方法，提出了ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ以电荷源为基本组厉元件的大信号非线性动态模型。该模型在了电荷不守恒问题以及ＤＣ与ＲＦ电流不一致性......
针对传统PWM调制具有轻载下效率低的缺点,论文作者提出一种新的高效调制模式--脉冲跨周调制PSM模式.本文对这种新的PSM开关变换器......
基于电路平均和平均开关建模法,建立了连续模式下电流型单端初级电感变换器（SEPIC）的大信号模型.采用几何方法分析了稳态占空比对电......
精确地描述FET器件大信号微波特性阻抗对单片微波集成电路设计极其重要。为了能准确地模拟FET器件大信号微波特性,在大信号器件模......
针对车载综合电力系统因自身“弱惯性”而易失稳但又不确定失稳边界的问题,建立了计及DC/DC变换器、轮毂电机负载在内的车载综合电......
提出了一种基于数值模型的4H-SiC MESFET大信号建模方法.该方法基于4H-SiC MESFET的物理参数和结构参数,采用MEDICI的小信号正弦稳......
提出一种新型可产生稳定自脉动光脉冲的多段式分布反馈（MS-DFB）半导体激光器结构,其特点在于各DFB段采用了不同的脊波导宽度.为了对......
首先，本文以Buck变换器为例通过观察其大信号参数在CCM和DCM模式下的相互关系，建立了兼容两种工作模式的电流模PWM开关电源的大信号......
建立了一个改进了渡越时间方程的InP DHBT大信号模型。从HBT电荷方程出发,首先给出了InP DHBT的耗尽电荷方程,接着分析了InP DHBT......
三相单开关Boost型PFC电路，由于工作在不连续导电模式，分析起来十分繁琐，设计不得不采用"试凑法"。本文根据电路的工作原理，利用平均法......
提出一种利用小信号等效电路模型,通过使用多层神经网络来描述高电子迁移率晶体管（HEMT）与偏置有关的大信号特性方法.通过实验发现,......
射频开关器件是各种现代无线通信系统中的关键元件。Ga As p HEMT开关器件对比传统PIN开关器件,由于其偏置网络简单、直流功耗低、......
学位
宽禁带半导体晶体管——氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)在高频、高效率、高功率领域具有广泛的应用,已经成为了国内外微波半......
世界上仍然有大量的人口面临电能短缺的问题,在大多数偏远山区,对于电力的需求很大,解决的办法之一是通过大电网接入实现偏远山区......
磷化铟(InP)高电子迁移率晶体管(HEMT)器件具有高电子迁移率、低噪声、低功耗和高增益的特点,被广泛应用于固态功率毫米波和微波电......
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。......
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其复杂的器件特性使其大信号建模变得十分困难,尽管EEHEMT、Angelov等模型结构曾经成功应用于Ga As H......
期刊
使用国产6H-SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的AlGaN/GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型,利用AD......
碳化硅(SiC)材料是第三代的宽禁带半导体材料之一,它具有禁带宽、临界击穿电场高和饱和漂移速度高等优点,逐渐成为制造高频大功率,......
GaN材料具有禁带宽度大、电子迁移率高、电子饱和速度大、击穿电场高等优点，基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)最近......
氮化镓（GaN）材料与硅（Si）和砷化镓（GaAs）相比，具有禁带宽度大、热导率高、临界击穿电场高和饱和电子速度高等优势。GaN高电子迁移率晶体管......
