工艺偏差相关论文
随着集成电路制造工艺进入到纳米尺度,工艺偏差对电路性能的影响越来越复杂。同时集成电路朝着更高的集成度和更大的电路规模方向......
NBTI已成为纳米集成电路生命周期内可靠性的一个主要威胁,为防止集成电路由NBTI引起的电路失效,集成电路老化程度的在线预测得到广......
随着存储器的集成度不断提高，以及工艺偏差带来的单元间不均一性，传统存储器单元错误率持续提高。新型存储器，特别是相变存储器和阻变......
文章对HAZOP分析方法进行了介绍,通过HAZOP分析方法在某企业吩噻嗪生产装置的应用,系统辨识了该装置的设计缺陷,提出了相应的建议......
片上多核处理器以其效能高、设计周期短等优势成为高性能处理器设计的主流架构。相变存储器以其集成度高、漏电功耗低等优势受到多......
本文主要研究并设计了一种用于射频前端电路的温度和工艺检测补偿技术。该温度和工艺检测补偿技术,分别包括了温度传感器和工艺检......
集成电路是信息技术的核心,在社会经济发展和国家安全领域都扮演着至关重要的角色。在经济全球化的驱动下,为了加快集成电路开发并......
存储墙问题是限制处理器性能提升的关键问题之一,末级缓存(Last Level Cache,LLC)作为片上系统中容量最大的缓存,是影响处理器性能......
本文介绍了一种无需外部时钟、可抵消部分工艺偏差的差分延迟线ADC，并对其建模。该ADC结构简单、控制信号在内部产生、转换速率快、......
本文提出了一种基于标准CMOS工艺的低成本电流控制振荡器.该振荡器采用恒流源充放电技术,其振荡周期对于温度、电压,以及工艺偏差......
随着集成电路制造工艺进入纳米尺度，集成电路的性能和集成度均以几何速度飞速增长。而随着特征尺寸的缩小，严重的工艺偏差导致集成电......
近年来，功率集成电路得到了突飞猛进的发展，集成度越来越高。作为最常见的高压功率器件之一，VDMOS更多地集成在芯片里，而不仅仅以分立......
电荷补偿概念在Si基功率器件中的成功应用有效地提高了反向击穿电压的同时降低了正向导通电阻,很大程度上打破了击穿电压和导通电......
基于对工艺偏差不敏感的温度补偿机制,提出了一种低工艺偏差的低功耗基准电流源.利用MOS管的阈值电压和片上电阻的温度系数在工艺......
硅集成电路的按比例缩小技术进入深亚微米(小于100纳米)阶段以后,出现了一系列难以解决的设计问题,给设计人员带来了难以想象的困......
1前言rn当前,轮胎制造商通过最大限度地消除工艺偏差和提高成品质量,继续致力于提高工作效率,以便拥有或者继续保持竞争优势.......
提出一种利用键合线电感设计VCO的方法,利用HFSS(High Frequency Structure Simulator)软件,建立电感仿真模型,在5 GHz以下与库模......
采用一种新的张弛振荡器,实现了一种不受工艺影响的低功耗片上温度传感器.将与温度成正比的电流输入到振荡器,产生与温度成正比的......
提出一种基于通用交叉耦合电平转换器的低开销新型物理不可克隆函数的电路设计。该设计只需在传统电平转换电路中引入一个额外的开......
随着集成电路特征尺寸的不断缩小，工艺偏差引起时钟偏差的不确定性，导致时钟偏差呈现出一定的统计特性。分析了哪些时钟路径可能会成......
随着工艺偏差的日益增加,新的失效机制也在亚100 nm工艺的CMOS电路里出现了,特别是SRAM单元。SRAM单元的故障由晶体管阈值电压Vt差......
近年来，物联网和移动互联网为代表的应用芯片提出了越来越高的功耗要求。降低工作电压是降低功耗的有效方法，但是随着电压的降低，电路......
随着集成电路工艺尺寸的不断降低,CMOS电路越来越容易受到单粒子效应的影响并产生软错误.为了降低电路软错误率,提出一种高可靠的......
为了应对集成电路老化对电子系统可靠性带来的威胁,提出一种应用关键路径漏电流变化进行负偏置温度不稳定性老化预测的方法.首先用......
半导体器件的片内偏差是影响芯片性能的主要因素之一,片内偏差具有空间相关性.随着工艺尺寸的持续缩小,片内偏差空间相关性日益复......
为了解挠性接管安装工艺状态对机械隔振系统振动传递特性的影响，选取某型船舶上典型的管路系统及挠性接管为研究对象，采用二分法进行......
为建立考虑工艺参数随机变化情况下的模拟电路模块的行为级模型,提出了基于稀疏网格的随机配置建模方法.首先,与传统的需要大量采......
为了解挠性接管安装工艺状态对机械隔振系统振动传递特性的影响,选取某型船舶上典型的管路系统及挠性接管为研究对象,采用二分法进......
高能效（Energy efficiency）已成为目前嵌入式多核片上系统（System-on-Chips,SoCs）设计中的首要优化目标.基于电压/频率岛设计的三维多......
为了提高随机工艺偏差下门延时建模的计算精度和效率,提出一种基于扩展Gauss积分理论及嵌套式稀疏网格技术的随机配置门延时建模方......
文章从工艺偏差的角度入手,采用蒙特卡罗分析方法,结合独特的辅助电压源前置放大器,基于TSMC 0.25 μm CMOS工艺,对1 GHz采样率8位......
针对基于环形振荡器（ring oscillator, RO）的硬件木马检测方法受到工艺偏差的严重影响,导致木马检测准确度降低的问题,提出了一种新......
首先简述了硬件木马以及现有的硬件木马检测方法,之后考虑了工艺偏差对硬件木马检测的影响;工艺偏差的存在对电路功耗和延时等都会......
当器件特征尺寸进入纳米级，负偏置温度不稳定性（NBTI）效应和工艺偏差都会导致p 型金属氧化层半导体（PMOS）器件性能和可靠性的下降.基于......
时钟电路作为绝大多数电路中不可或缺的部分,自出现至今一直在各类电路中扮演着重要角色。随着集成电路制造工艺的进步和应用范围......
由于干式空心并联电抗器支路数非常多,工艺偏差会造成干式空心电抗器局部温升差异。局部温升过高会导致干式空心并联电抗器局部绝......
侧信道分析技术作为硬件木马的主要检测方法，因侧信道信号受工艺偏差影响，其应用存在局限性。针对这一问题，提出了一种考虑工艺偏差的......
文章在改进经验法则的基础上,对工艺参数的偏差进行了统计分析.首先由切比雪夫不等式引入基于正态分布的经验法则,然后利用后验概......
针对传统的边信道检测模型容易受到工艺偏差的影响,提出了一种集成在电路内部的检测方法,该方法将电路内部难以直接测量的待测信号......
工艺实践表明,采用体硅湿法刻蚀工艺加工压阻式微型压力传感器时,敏感膜片会存在厚度偏差,电阻条偏离应力最大区域导致位置偏差,电......
期刊
集成电路的发展历史是集成度不断提高、器件特征尺寸不断缩小的历史。随着制造工艺的不断进步，一方面芯片规模不断扩大，已达到数亿晶......
从集成电路的诞生到如今单片集成上亿个晶体管,短短几十年的时间里集成电路产业发展创造了一个人类技术史上的光速神话。集成电路......
