异质结带阶相关论文
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过 Ｉｎ Ｐ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｉｎ Ｐ／ Ｇａ Ｐ、 Ｇａ Ａｓ／ Ｉｎ Ａｓ、 Ｇａ Ｐ／ Ｇａ Ａｓ......
采用半经验的Slater-Koster参数紧束缚方法以及Tersoff理论研究了GaN/AlxGa1-xN(X=0.1,0.2,…,0.5)异质结的带阶.结果表明,GaN/Alx......
采用一种只计算体材料的能带、带阶参数和形变势就能预言不同应变情况下的应变层异质结带阶的方法，并通过ＩｎＰ／ＩｎＡｓ、ＩｎＰ／ＧａＰ、ＧａＡｓ／ＩｎＡｓ、ＧａＰ／ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ／ＩｎＡｓ等应变层异质结在......
本文采用混合基矢从头赝势能带计算方法研究了界面应变对ＧａＮ，ＡｌＮ应变层的能带，平均键能Ｅｍ和带阶参数Ｅｍｖ的影响。借助于带阶参数形变势的计算，预言......
为了对GaN/AlN异质结电子结构有更为深入的认识，采用超原胞模型，对其进行了基于密度泛函理论的第一性原理计算，结果发现GaN/AlN为突变......
金属—半导体接触在技术上十分重要，在半导体器件和集成电路中广泛地利用着各种不同性质的金属—半导体接触，因而器件与集成电路的质......
