曝光装置相关论文
本文扼要介绍了现阶段国内外用于研制微型机械的主要方法，着重介绍了激光光刻成型法的基本原理、制作微型机械的工艺途径、技术特色......
松下技研与准分子激光器的大厂商人物理公司签订了设计高性能准分子激光器的共同开发合同。共同开发的激光装置是短波紫外光源，可在......
高重复频率激光等离子体软X射线光刻术是国际上制作亚微米及深亚微米量级微器件、微结构的关键技术方法之一。目前国内尚未见有关......
描述了用高功率脉冲激光打靶产生的等离子体作为软Ｘ射线源而进行的接近式软Ｘ射线光刻研究。采用正性光刻胶ＰＭＭＡ．得到了一些新的研究结果．
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介绍在光刻中使用２４８ｎｍ和１９３ｎｍ波长的一种新颖作图装置。设计该装置以抗蚀剂材料为其特征，应用在先进的存储器（６４Ｍｂ、２５６Ｍｂ）和高密度双极ＩＣ生产中。随着应用......
作为防伪标识,使用最尖端的曝光技术制作了反射型微标签(CGH)。用最新的极紫外光源在10×缩小投影曝光装置上曝光制作了150nm L—......
采用λ／２的光束复制出了更高分辨率极限的线间图形。它将电路图形的ＣＤ尺寸极限推进到λ／４，当采用１９３ｎｍ光源曝光时，ＣＤ尺寸为５０ｎｍ以下。干涉光刻技术（ＩＬ）探讨......
论述了衰减相移掩模光刻技术的原理和曝光实验研究，给出了光刻曝光实验部分结果，并与传统光刻方法作了比较
The principle and expe......
1 前言近年来,超 LSI 开发进展十分惊人。虽然代表0.5μm 时代器件的16MDRAM,由于受到当时半导体业不景气的影响而其开发比当初预......
２００２０３０１８１曝光装置用G２０K型KrF准分子激光器＝露光装置用KrFエキシマレ－ザ“G２０K”犤日犦／中尾清春∥光アライアンス．—２０００，１１（１）．－３７～３８２００２０３０１８２新的真空紫外光源＝新しい真空紫......
日本日立公司开发了一种不采用光而可进行纳米级超微细加工新技术。该新技术是:利用称谓自保共聚物(Block Copolymer)的纳米材料......
Fujifilm日前宣布,面对业界大型半导体厂家开始量产45nm生产工艺产品,公司将导入液浸ArF曝光设备,以进一步加大开发力度,扩大业界......
尼康博物馆位于日本国东京都港区港南2-15-3品川城际大厦C座2楼,每天10点至18点免费向公众开放。博物馆中记录并展示了尼康公司百......
简介了作者的流动显示方法（包括应用塑料示踪剂、间隙曝光装置、定时控制器和普通照相机来拍摄水工整体试验中大范围流动的照片（流谱......
一、引 言 随着现代光学的重要组成部分──光学信息处理的发展及其多方面的应用,光学滤波元件的种类越来越多其结构也更加复杂[1]......
本文介绍了日本卡农公司PLA—520FA型远紫外光刻机用各种抗蚀剂对远紫外的曝光特性和以一微米图形的LSI应用为目标所试验的结果。
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一、测量对象集成电路(lC)和大型集成电路(LSl)是电子技术的心脏,而加工lC 和LSl 元件的光刻装置和电子束曝光装置,是否能实现微......
本文提出用激光干涉法制作亚微米级坡莫合金耦合栅格掩模,然后用FeCl_3溶液、等离子体两种刻蚀方法得到坡莫合金耦合栅格。文中对......
日本尼康公司不久前开发成功一种变形光源技术,以提高逐渐缩小式曝光装置的成像清晰度。这种新技术称作“SHRINC”,实际上是通过......
本文介绍了一种新的接近——接触式光刻系统,刻制出多块带零位的、129600对铬线圆光栅。该光栅刻线质量良好,采用直流比相法检测,......
在进行X线投照实验课时,由于人员分散,经常有同学误触动X线机的曝光按钮,使在机器旁的老师和同学接受大量不必要的照射.为了避免误......
快速印相工艺,是根据专业人像摄影部门的特点,在传统印相工艺的基础上,加以改进的。快速印相工艺,要求在拍摄时必须使象幅规格化......
胶片表观质量的优劣,是决定整个胶片质量的重要一环。即使胶片的照相性能很好,若无优良的表现质量作前提,也是通不过的。在某种程......
1.引言在电子管的全盛时期,对阴极材料就有了很多研究,并研制出了许多性能良好的料料。其中尤以氧化物阴极的性能为最好,不管是接......
模压全息技术的某些新进展熊秉衡（云南工学院激光研究所）本文综述了国外模压全息技术的某些新进展以及与模压技术有关的一些重要信息......
柯达ADVANTIX5600MRXTest相机具有30～120mm电动变焦镜头，内藏自动闪光灯．有自动对焦和焦点锁定功能。这部独具风格的照相机，能防水；可以......
使用遮光片多次曝光的方法一竹多次曝光的拍摄方法基本上上以分成二种形式：一种是将两个或多个以上的影像重叠在同一个画面上；另一种......
日本电子公司以电子显微镜的电子束技术为基础,开发电子显微加工装置、曝光装置、焊接装置、熔化装置、蒸镀装置等工业用大功率电......
本文扼要介绍了1:1全反射投影光刻技术的基本工作原理、发展历史以及该技术目前在国外大规模集成电路光刻工艺线上的应用状况。另......
日本电信电话公司武藏野电气通信研究所利用电子束曝光法作成了最小尺寸为2微米的1千彼特金属氧化物半导体(MOS)存贮器用的掩膜,......
美国贝尔研究所用该公司研制的 x 射线曝光装置、x 射线用掩模和可用干法显影的新的光致抗蚀剂制成了门延迟时间为40ps 的环型振......
本文主要介绍了用光学图形发生器上的H-线曝光装置在正性胶低反射铬掩模上加工亚微米线条的工艺过程,并就加工过程中所遇到的有关......
日本超大规模技术研究组合共同研究所最近研制了每小时能曝光50个片子的 x 射线曝光装置。该系统可使6个片子同时曝光,大大提高了......
用紫外线曝光设备已制作出最窄条宽为1微米的大规模集成电路,此乃是采用10∶1缩小投影曝光设备、AZ1450J正性光刻胶、平行极板型干......
1.双掩模曝光方法公开号:昭54—64476作者:松井健太郎等二人申请日期:昭和52年10月31日内容提要:通过掩模对半导体园片上的光致抗......
日本电电公司武藏野电气通信研究所,最近试制成功了在硅片上,直接描绘出亚微米精密图形的高精度电子束曝光装置(EB55)。这个研究......
卡诺公司是当代世界上首次将波长为200—260nm的远紫外光曝光技术运用于实际中去的。该公司运用远紫外曝光技术,成功地获得了最小......
大规模集成电路要求图案复杂、线条细、单元面积大的掩模版,这使人工刻图照相的制版方式远不能满足要求。用计算机自动程序控制光......
据日本《日刊工业新闻》七月十三日报道:日电信电话公司武藏野电气通信研究所十二日宣布,作为超大规模集成电路的一环,在日本光学......
据日刊《电子展望》一九七七年七月号报导,日本超 LSI 技术研究组合共同研究所,在通产省的资助下,从去年六月开始到目前已试制成......
