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抬高源漏结构相关论文
TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件的模拟研究
对0.25 μm TiN栅及抬高源漏的薄膜全耗尽SOI CMOS器件进行了模拟研究.由于TiN栅具有中间禁带功函数,在低的工作电压下,NMOS和PMOS......
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FDSOI
CMOS
中间禁带功函数
抬高源漏结构
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