无结器件相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

无结器件相关论文

无结器件的单粒子辐射效应

介绍了一种新型沟道非均匀掺杂的双栅无结金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用Sentaurus TCAD仿真软件对不同沟道掺杂浓度......

期刊

单粒子器件沟道无结器件双栅器件沟道非均匀掺杂单粒子辐射三极管寄生三极管效应沟道长度

多栅无结器件新结构设计与仿真研究

在CMOS器件发展过程中,器件尺寸不断缩小,由此人们提出了无结器件来提高小尺寸器件的各种特性。无结器件具有源/漏区域与沟道掺杂......

学位

无结器件多栅器件侧墙纳米线辐射加固

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