晶界层电容器相关论文
SrTiO_3是一种新型多功能电子陶瓷材料,由于其具有高介电常数、低介电损耗、高耐电压强度、热稳定性好等优点,成为单层片式晶界层......
该文利用高分辨电镜研究了低温一次烧结ＳｒＴｉＯ＃-[3]陶瓷晶界层电容器 材料的晶界结构。发现在两晶粒间存在着四种典型的晶界类型，通过构筑......
该文对(A,B)TiO基掺杂高介质晶界层电容器陶瓷材料的制备、微观组成结构及介电性能进行了较系统的研究,分析了不同工艺条件和工作......
选择La2O3、V2O5掺杂SrTiO、控制合适的Ti/Sr比、添加适量CuO和AS以及调节最佳工艺参数，系统地研究了它们对SrTiO3试样的还原烧结行......
采用空气中一次烧成工艺，研究了氧化温度对SrTiO3晶界层电容器试样的介电常数ε，绝缘电阻率ρ及介质损耗tgδ的影响；对试样进行了TEM......
采用空气中一次烧成工艺,通过性能测定、SEM观察,研究了Ti/Sr比与SrTiO<sub>3</sub>晶界层电容器材料试样的烧结性能、半导化、显......
本文从理论上解释了由半导体晶粒间的绝缘晶界以及晶界两侧的SI结和IS结势垒三者组成的晶界层电容,在低偏压下的C-V特性.指出了绝......
片式高频晶界层电容器该课题采用独创的低温烧结晶界偏析法，利用常规多层陶瓷电容器制作工艺，选用色银合金作内电极材料，成功地制作出......
以化学计量配比的SrTiO_3为基,采用PbO-Bi_2O_3-B_2O_3-CuO系氧化物为绝缘涂层,研究了二次烧成冷却条件对晶界层电容器晶界结构及......
采用空气中的一次烧成工艺,研究了氧化温度对SrTiO_3.晶界层电容器试样的介电常数ε、绝缘电阻率p及介质损耗tgδ的影响;借助于TEM......
利用透射电子显微镜及其电子衍射和X射线能谱分析,高分辨电子显微镜及其微区电子衍射,以及离子探针,证实了低温一次烧结的SrTiO_3......
采用真空高频感应加热法制备ＳｒＴｉＯ３晶界层电容器半导瓷，研究了掺杂材料、参 、烧结温度、保温时间、成型密度等对半导瓷性能结构的影响，所......
试验了不同涂复材料对晶界层电容器晶界重新绝缘的作用,探讨了它们使晶界重新绝缘的机理和特点。不同的涂复材料在晶界重新绝缘过......
研究了以Ｌｉ２ＣＯ３为助烧结剂、Ｓｒ（Ｌｉ１／４Ｎｂ３／４）Ｏ３为施主掺杂剂、Ｂｉ２Ｏ３和ＳｉＯ２为晶界绝缘剂的ＳｒＴｉＯ３基晶界层电容器的一次低温烧成技术。初步探索了Ｔｉ／Ｓｒ比值、施主掺杂剂、绝缘剂对......
根据低温一次烧结ＳｒＴｉＯ３陶瓷晶界层电容器两晶粒间晶界相结构的复杂性和不同晶界的势垒特性，建立了具有复合晶界特征，晶界等效电路模型，据此......
借助XRD、SEM、粒度分析仪，研究了三种常用的不同SrCO3粉料对空气中一次烧成晶界层电容器（GBBLC）性能的影响。研究结果表明，当SrCO3中......
本文研究了烧结助剂Li_2CO_3对SrTiO_3基晶界层电容器的显微结构的影响。结果表明,晶间存在Li_2O—TiO_2—SrO液相,并有LiTiO_2、L......
金红石相宽禁带半导体在过去几十年中一直是材料物理和凝聚态物理领域的宠儿。通过掺杂TiO2和SnO2金红石相宽禁带半导体会表现出铁......
TiO2体系复合功能陶瓷是一种兼有压敏功能和介电性能的新型功能陶瓷材料，具有压敏电压低、非线性系数高、介电常数大等优点，在微小型......
研究掺杂Dy^3＋对SrTiO3晶界层电容器组织性能的影响。Dy^3＋的加入,在含量较低时可以降低晶粒的界面能,从而可以促进晶粒的长大;而在......
采用一次烧成法制备了掺杂SrTiO3晶界层电容器。首次注意到SrTiO3晶界层电容器的介电常数Keff和击穿电压VBK间存在lnKeff∝(-VBK1/......
