极大规模集成电路相关论文
本文针对极大规模集成电路用超高纯硝酸的技术要求，研究了高效减压蒸馏技术对分离效果的影响；分析了设备材质对高纯硝酸中金属离子的......
集成电路制造技术集成套工艺是当今全球装备制造业中最尖端的技术之一,是信息技术硬件的核心.在国务院颁布的中,“极大规模集成电......
极大规模集成电路的发展对低介电常数绝缘介质薄膜提出了需求.本文介绍了低介电常数纳米多孔氧化硅薄膜的制备、结构和性能表征以......
光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一，光刻分辨率决定集成电路芯片的特征尺寸。极紫外(EUV)光刻采用13.5nm波长的曝光光源提......
光刻是极大规模集成电路制造的核心工艺，光刻分辨率决定集成电路的特征尺寸。光源掩模优化(Source Mask Optimization，SMO)技术被认......
近年来，集成电路已经进入到超大规模的纳米技术时代，现有的体硅材料和工艺由于它们的物理限制，已经不能进一步提高芯片的集成度和运行......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在我们全面、胜利地完成了国家“十五”计划之际,举国上下又迎来了“十一五”开局之年的第一件大事-全国科技大会的胜利召开.根据,......
北京确安科技股份有限公司通过国家科技重大专项（02专项）项目“极大规模集成电路测试技术研究及产业化应用”，全面建成了极大规模集成......
本文讨论了ULSI的发展对低介电常数(low-k)介质的需求,介绍了几种有实用价值的low-k介质的研究和发展现况,最后评述了low-k介质在U......
本文讨论了ＵＬＳＩ的发展对低介电常数（ｌｏｗ－ｋ）介质的需求，介绍了几种有实用价值的ｌｏｗ－ｋ介质的研究和发展现况，最后评述了ｌｏｗ－ｋ介质在ＵＬＳＩ中应用的前景。......
对低压下铜化学机械抛光（CMP）碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行......
为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研......
对于评价用于极大规模集成电路（ULSI）生产的300mm硅抛光片的表面质量，需要关注两个关键参数即：SRQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十......
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随着集成电路器件特征尺寸的持续缩小,晶圆尺寸的不断增大,为了更有效的提高器件的使用寿命和可靠性,要求晶圆表面必须实现全局平......
随着极大规模集成电路(ULSI)的发展,特征尺寸进一步减小,布线层数增加,铜布线已逐步取代铝布线应用于极大规模集成电路(ULSI)的制......
<正>4月25日,由北京矿冶研究总院北矿新材科技有限公司为主承担的由国家科技部组织的国际合作项目"极大规模集成电路刻蚀机用高纯......
<正>北京确安科技股份有限公司通过国家科技重大专项(02专项)项目"极大规模集成电路测试技术研究及产业化应用",全面建成了极大规......
<正>2011年12月22日,极大规模集成电路制造装备及成套工艺重大专项(以下简称"集成电路装备专项")工作总结暨部署大会在上海召开。......
