碱性抛光液相关论文
集成电路（IC）工艺技术是推动我国集成电路不断发展的重要基础,化学机械平坦化（CMP）是IC制造的关键工艺之一,是目前唯一能够实现全局和......
为了研究抛光液pH值对材料去除率和表面粗糙度的影响，配制了四种不同氧化剂的抛光液，来研究不同氧化剂种类在不同pH条件下对材料去除......
采用自主配制的碱性抛光液对TiO2薄膜进行了化学机械抛光(CMP),研究了在TiO2薄膜CMP加工过程中,碱性抛光液中的SiO2磨料、螯合剂、......
针对不含腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)的碱性铜粗抛液,通过对3英寸(1英寸=2.54 cm)铜片上的动态抛光速率和静态腐蚀速率的研究来模拟......
集成电路(IC)是信息产业和高新技术的核心,是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志。化学机械平坦(CMP)是IC制造的核心工艺......
在大规模集成电路制造过程中,化学机械平坦化（CMP）是关键工艺技术之一。钽（Ta）由于具有高稳定性、高导电性以及对铜的惰性等优势,被广......
采用二氧化硅胶体碱性抛光液对铌酸锂晶片进行化学机械抛光研究,讨论了抛光压力、转速、流速等工艺参数对材料去除率的影响.结果表......
铝材电解抛光是一种具有较大应用价值的表面处理方法，本文在分析了当前国内外的电解抛光研究现状后，在碱性条件下对工业纯铝材进行了......
文中介绍了一种以碱性抛光液对铜进行全局平面化的方法 ,讨论了以 Si O2 水溶胶为磨料的抛光液在Cu-CMP过程中的化学 (络合 )作用......
随着铜互连结构中低k介质的应用,要求CMP抛光过程中必须将压力减小到6.89kPa以下,传统的化学机械抛光已不符合当前的工艺要求,如何......
化学机械平坦化(CMP)过程中,抛光液的化学作用对平坦化效果起着不可替代的作用。介绍了碱性抛光液中氧化剂(H2O2)对铜布线CMP的作......
期刊
利用单面抛光机和SiO2碱性抛光液进行了以硬盘NiP基板CMP去除速率为考核指标的工艺试验。针对抛光速率是受各个工艺因素共同影响这......
研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的SiO_(2)磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响......
分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙......
文中介绍了一种以碱性抛光液对铜进行全局平面化的方法，讨论了以SiO2水溶胶为磨料的抛光液在Cu-CMP过程中的化学（络合）作0用及反应机......
介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果:15～20 nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液,用于介质CMP的120 nm水溶胶磨料抛光液......
对低压下铜化学机械抛光（CMP）碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行......
介绍了河北工业大学微电子研究所发明成果:15～20nm铜的CMP碱性抛光液、阻挡层CMP碱性抛光液、用于介质CMP的120 nm水溶胶磨料抛光液......
铝和铝合金材料的化学抛光工艺多以酸性（硫酸、磷酸、硝酸）抛光为主，抛光效果好，但腐蚀速率大，使用温度高，产生的黄烟（即氮氧化物）环境污染......
为了获得优化的CMP参数变化,对实验进行了设计,并采用CMP方法在C6382I-W/YJ单面抛光机上对蓝宝石衬底表面进行了加工.根据蓝宝石衬......
研究了pH值对石英玻璃抛光性能的影响,采用动态光散射及Zeta电位对化学机械抛光(CMP)使用的硅溶胶进行分析表征,采用原子力显微镜(......
本文研究了化学机械双面抛光消除石英玻璃亚表面损伤的关键工艺与技术。利用碱性抛光液对石英玻璃的侵蚀作用与纳米SiO2磨料对石英......
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对d为300mm blanket铜膜进行了低压低浓度化学机械抛光实验，分析了抛光工艺参数和抛光液组分对铜膜去除速率及其非均匀性的影响。通......
随着极大规模集成电路的大规模产业化,对于平坦化技术的要求也越来越高。目前,普遍应用的平坦化工艺为化学机械平坦化(CMP),在化学......
氧化剂是铜互连化学机械抛光液的重要组成部分,是决定抛光速率和平坦化效率的重要影响因素。双氧水(H2O2)是抛光液中最常用的氧化......
研发了一种新型的碱性抛光液,用于提高Si晶圆的抛光速率以及循环使用时的高速率稳定性。分析了FA/OⅡ型螯合剂与KOH调节剂对Si晶圆......
随着半导体集成电路的发展,特征尺寸不断缩小,集成电路制造工艺越来越复杂。化学机械平坦化是集成电路制造的关键工艺之一,是多层......
随着集成电路(IC)不断的发展,器件特征尺寸不断减小,目前技术节点到达14nm以下,由于新型材料钌(Ru)具有更低的电阻率,并可以实现无......
极大规模集成电路（GLSI）的不断发展,对化学机械抛光（CMP）提出了更严峻的要求:低机械强度、低粗糙度、高平整度、高洁净度。商用抛光液......
三维集成技术能够增加芯片的集成度,但是三维集成电路的制造难度也增加,其中,能否利用CMP技术使TSV铜膜和阻挡层实现全局平坦化是......
TaN由于其良好的性能广泛用于布线铜与介质之间的阻挡层和黏附层。在对直径为300 mm的TaN镀膜片进行化学机械抛光(CMP)后,对比并分......
期刊
在阻挡层化学机械抛光(CMP)过程中,阻挡层材料钽(Ta)易与铜(Cu)发生电偶腐蚀。针对这一问题,通过电化学分析方法研究了碱性抛光液......
主要研究了适合铝及铝合金的碱性化学抛光液及抛光工艺 .该抛光液的稳定性和抛光性能可以与酸性抛光液相媲美 ,但它所造成的环境污......
集成电路按照摩尔定律快速发展。集成度越来越高,特征尺寸越来越小,晶圆面积越来越大,这都得益于超精密加工技术的快速发展。化学......
利用不含氧化剂的碱性抛光液对铜和钴进行化学机械抛光,深入分析了抛光液组分包括硅溶胶磨料、FA/O螯合剂以及非离子表面活性剂对......
铜因其延展性，磨削、研磨过程中极易粘附在工具表面，减小了容屑空间，是一种典型的难磨削（研磨）材料。固结磨料化学机械抛光由于其诸多优......
新器件、新材料和新工艺不断推动着集成电路按照摩尔定律快速发展。越来越高的集成度,越来越小的特征尺寸和越来越大的晶圆面积对......
随着集成电路特征尺寸不断降低、金属互连线宽度越来越窄、布线层数迅速增加,RC延迟和功率损耗逐渐成为制约半导体器件集成度的重......
研究了铜化学机械平坦化的模型。通过研究分析，采用40nm粒径的硅溶胶作为磨料，H2O2作为氧化剂，还包含螯合剂和FA／O表面活性剂作为抛光......
CMP工艺水平很大程度上依赖于抛光液的组分及配比,组分之间的相互作用是化学机械抛光的研究内容之一。对以纳米SiO2为磨料、H2O2为......
期刊
集成电路(IC)是衡量一个国家产业竞争力和综合国力的重要标志,化学机械平坦化(CMP)是IC制造关键工艺技术之一,是目前唯一能够实现......
