氧化诱生层错相关论文
１９９５～２０１０年ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ对原始硅材料的要求１９９５０３５μｍ１９９８０２５μｍ２００１０１８μｍ２００４０１３μｍ２００７０１０μｍ２０１０００７μｍ晶片直径（ｍｍ）（Ａ）２００２００３００３００４００４００规格参数（在９５...
1995 ~ 2010 VLSI / ULSI requirements of the original ......
本文介绍了半导体硅材料的发展现状及未来发展趋势。
This article describes the current status of semiconductor silicon mat......
本文研究了微氮直拉硅单晶中的氧化诱生层错,指出,氮能促进硅中氧的沉淀.与非含氮硅单晶相比,含氮硅单晶中引起的OSF密度较小,这可......
利用透射电镜研究了热氧化过程中含氮 (NCZ)和不含氮 (CZ)直拉硅单晶的氧化诱生缺陷 .研究表明 ,NCZ中的氧化诱生层错的尺寸随着湿......
硅中的氧化诱生层错(OsF)是一种重要的工艺诱生缺陷,会对微电子器件产生重大影响,为提高硅片质量.要求对OSF有充分了解.综述了氧化......
采用无铬和含铬两种溶液共同腐蚀不同型号、不同掺杂剂和不同晶向的重掺单晶样品,研究如何更好地使用无铬腐蚀液显示重掺杂晶体氧......
对比研究了电阻率几乎相同的重掺锑和重掺磷直拉硅片的氧化诱生层错(OSF)的生长,以揭示掺杂剂对重掺n型直拉硅片的OSF生长的影响.......
氧化诱生层错(OSF)是硅片在热氧化过程中可能产生的一种缺陷,它的存在会增大漏电流、降低击穿电压,导致器件性能下降甚至失效。目......
氧是直拉硅单晶中的最重要的杂质之一，控制硅中氧、氧沉淀的量及其分布以及氧沉淀的工艺诱生缺陷一直是硅材料和集成电路工艺研究的......
调研了三条100～150 mm集成电路生产线上IC芯片的工艺诱生缺陷.研究表明,这些IC生产线上存在三种影响IC成品率的主要诱生缺陷,离子注......
