氮氧复合体相关论文
中子辐照硅单晶,入射粒子会与硅原子发生库仑作用、电磁作用或核反应,引起粒子能量的损失.晶格位受碰撞的原子获得的能量大于硅原......
研究了微氮硅单晶新施主形成特性，发现氧、氮杂质对新施主有重要影响。提出含氮直拉硅中有可能存在不同于传统新施主的以氮氧复合体......
氮杂质对硅单晶的性质有重要的影响,氮在硅中的性质、存在形态以及和相关缺陷作用机理一直为人们所研究。本论文通过氮离子注入的......
氧和氮是直拉硅单晶中非故意掺杂的重要杂质,它们显著影响直拉硅单晶的性能。傅立叶变换红外光谱(FTIR)是研究上述两种杂质在直拉......
研究了 p型含氮以及不含氮直拉 (CZ)硅中热施主 (TD)以及氮氧 (N- O)复合体的电学性质 .硅片在 35 0～85 0℃范围进行不同时间的退火......
本文主要研究了在氢气下退火对掺氮直拉硅中热施主(TDs)和氮氧(N-O)复合体的影响.实验结果表明,在氢气下低温退火对热施主和N-O复......
研究了p型含氮以及不含氮直拉（CZ）硅中热施主（TD）以及氮氧（N-O）复合体的电学性质。硅片在350-850℃范围进行不同时间的退火后，利用四探针......
本文研究了碳杂质对掺氮直拉硅单晶中氮氧复合体浅热施主形成的影响。电阻率测试和低温傅里叶远红外吸收光谱研究表明：碳杂质显著降......
氮杂质对单晶硅的性能有重要影响,氮在硅中的性质,相关缺陷的作用机理,以及对硅电学性能的影响一直为人们所研究。本文通过氮离子......
