沟道耗尽效应相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

沟道耗尽效应相关论文

氮化镓基MSM平面叉指可变电容器研究与过流保护电路设计

相比传统Si材料，GaN材料具有高饱和电子漂移速度、高击穿场强和高工作温度等优良特性，使得GaN基高电子迁移率晶体管成为高温、高压、......

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氮化镓基平面可变电容器叉指结构沟道耗尽效应过流保护单片集成电路

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