氮化镓基相关论文
GaN基边发射激光器和发光二极管是两种重要的半导体光电器件,然而边发射激光器常规采用的法布里-珀珞共振腔结构以及发光二极管的......
峰均比的持续增大使得无线通讯终端需要更高功率、更高效率、更高频率的功率放大器,而现有模拟功放作为基站全数字化最后一道屏障,......
本文中我们利用插入应力调制InGaN层的方法制备了无荧光粉的氮化镓基单芯片白光LED。利用X射线衍射倒空间分析和扫描电子显微镜对L......
本文报道了本研究组制备的硅衬底GaN基绿光LED的光电性能，芯片采用Ag反射镜与表面粗化技术，400μm×6 00μm尺寸的芯片在20mA下光功......
我们在c面GaN衬底上实现了无铝蓝光激光器的脉冲激射,得到了近似圆形的光斑,激光器激射光斑纵横比为1.6,激光器激射波长440nm,......
利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响。计算结果说明,脊形高度增加可以增加限制因子,降低阈值电流,提高......
研究了P型AIGaN电子势垒层对大功率Si衬底GaN基LED光电性能的影响。设计制作了三种不同材料结构的器件：(1)无P型AlGaN；(2)有P型AlGaN......
本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效......
本文对我国超高亮度LED产业现状和发展趋势进行了论述。文章指出，氮化镓基宽禁带半导体材料研制的白光发光二极管有望在未来的十几......
本文利用室温瞬态光荧光谱,对本实验室低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)生长的InGaN/GaN多量子阱蓝光LED的发光机理进行了分......
会议
进入90年代以来，化合物半导体量子阱器件的成熟，金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)的进步，基于InGaAlP系高亮度和超高亮度红、黄光LE......
该文是国家自然科学基金资助项目"氮化镓基紫外光传感器及其应用研究"中的部分研究内容.文章阐述了一种用氮化镓基紫外光传感器检......
学位
2014年，发明高效蓝光二极管的三位日裔获得诺贝尔物理学奖标志着商用氮化镓(Gallium Nitride，GaN)基发光二极管(Light-emitting Diod......
GaN基LED在照明领域获得了广泛应用,已经与人们的生活息息相关,但现有生产工艺的改进、新技术的开发、相关物理机理的研究仍然是整......
自从1989年第一支具有pn结的蓝光发光二极管(LED)问世以来,LED发展已经超过60年。GaN基LED是市场的主力,主要的成员是蓝光和绿光LE......
相比传统Si材料，GaN材料具有高饱和电子漂移速度、高击穿场强和高工作温度等优良特性，使得GaN基高电子迁移率晶体管成为高温、高压、......
以GaN基LED为代表的固态照明光源以其节能、环保、寿命长、光谱纯度佳、抗机械振动能力强等诸多优点引起了科学界和工业界广泛的研......
氮化镓基发光二极管(GaN-based Light Emitting Diode)具有光电转换效率高、色彩丰富、全固态、长寿命、小体积等优点，是半导体照明......
学位
在电磁辐射波谱中紫外线辐射的波长范围为10～400nm。紫外辐射具有与可见光和红外辐射完全不同的特性，紫外辐射的应用正在成为人们继......
1.本论文测量了室温下氮化镓基紫光发光二极管的电学特性和光学特性，以及温度在20 K～290 K范围内变化时的电流电压曲线，发现与氮化镓......
GaN基LED具有高亮度、低能耗、寿命长、响应速度快等优良特性，在固态照明、液晶背光源、全色显示等领域有着广泛的应用。大功率LED......
氮化镓基发光二极管(LED)以其优越的长寿命、低功耗、无污染等优点，已成为半导体领域的研究热点。而随着其在半导体照明领域的广泛......
近年来，GaN基发光二极管(LEDs)由于具有体积小、效率高、寿命长、节能、环保、可靠性高等优点而被认为是下一代光源。目前GaN基LED......
激光在如今的LED革命中正变得越来越重要,成为提高LED的发光效率和降低制造成本的必要工具。准分子激光器提供了独特的大面积均匀......
用1mm×1mm的大尺寸GaN基蓝光发光二极管(LED)芯片和YAG：Ce黄光荧光粉在食人鱼支架上封装大功率白光LED。其200mA下的发光功率......
介绍了Si衬底功率型GaN基LED芯片和封装制造技术,分析了Si衬底功率型GaN基LED芯片制造和封装工艺及关键技术,提供了产品测试数据。......
本文利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法系统地研究了p-AlGaN层掺杂机理及优化设计生长.明确了生长温度、压力及TMAl的流量对A......
