提出一种可以集成在SPIC(智能功率集成电路)内部的高压电压探测器的方法,其理论是基于基本的结终端技术中的浮空场限环系统,把场限......

为提高4H-SiC双极晶体管（BJT）的耐高压能力，采用SentaurusTCAD半导体器件模拟软件对采取结终端扩展（JTE）和浮空场限环（FFLRs）两种基本结终......

设计并实现了一种阻断电压为1 200V、正向电流40A的碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)。采用有限元仿真的方法对器件的有源区和终......