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温度相关大信号模型相关论文
GaN HEMT功率器件建模建库技术研究
氮化镓(GaN)作为近些年来迅猛发展起来的第三代半导体材料之一,同前两代半导体材料硅(Si)与砷化镓(GaAs)相比,GaN具有禁带宽、电子饱和率高......
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氮化镓
高电子迁移率场效应管
小信号等效电路模型
温度相关大信号模型
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