小信号等效电路模型相关论文
真空电子器件受限于其体积、真空封装和高压工作,无法集成化、小型化。随着微纳加工技术的不断发展,真空电子器件的微型化重新进入......
随着微波系统的发展，对固态功率放大器件的性能要求越来越高，现有的GaAs功率器件已经越来越不能满足系统的要求。作为下一代固态微波......
硅锗异质结双极型晶体管(SiGe HBT)以其高性能、高集成度、低成本以及与硅工艺兼容的特点，被广泛应用于无线通信电路中。作为设计Si......
超低温微波低噪声放大器(LNAs)是一些高灵敏度接收器中的关键组成部分。目前应用在低温条件下的最先进的低噪声放大器采用的一般是......
主要介绍了纳米MOSFET器件微波射频建模和参数提取技术的最新研究进展。建模技术主要包括小信号等效电路模型和噪声模型，参数提......
本文在比较了各种提取HBT小信号等效电路模型参数方法的优缺点后,提出了一种有效的参数提取方法.该方法在直接提取参数的结果基础......
近年来，CMOS技术由于其低成本，低功率，高度可集成性等优点已经在射频集成电路设计中获得广泛使用，而且随着栅极长度的持续降低以及工作......
本文提出一种改进的HEMT晶体管小信号等效电路模型，在等效电路本征部分增加了电感元件来表征器件本征部分的电感特性.利用0.15u......
本文提出一种改进的GaN HEMT工艺晶体管小信号等效电路模型,考虑了高频下的涡流损耗.针对高频下的寄生效应,在晶体管小信号等效电......
赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重......
利用阻抗矩阵法求出GaAs场效应管的小信号等效电路S参数,并提出应用遗传算法提取等效电路模型参数.该法具有收敛快速、精确度高的......
本文设计了一种应用于THz频段的HEMT小信号等效电路模型。在结合In P基HEMT器件工艺的研究基础之上提出了适当的小信号等效电路拓......
建立了单载流子传输双异质结光敏晶体管的小信号等效电路模型.分析了单载流子传输双异质结光敏晶体管光生电流的产生机制,并将其作......
采用非本征元件的参数作为本征元件参数函数的自变量的方法，求解MESFET小信号等效电路模型，并彩相对误差来构建目标函数。以FET在零......
基于GaN HEMT小信号等效电路模型参数的提取，针对扰动机制、退火方式、记忆功能、回火机制等关键点，提出了一种改进的模拟退火算法。......
氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体料,具有高热导率、高击穿电压、高电子漂移率、耐高温、耐高压、抗辐照等优势,适用于毫米波数......
自从1951年提出异质结概念以来,以异质结理论为基础的半导体器件就得到的迅猛发展。和同质结相比,异质结构所具有的高电子浓度、高......
本文主要研究了影响振荡器相位噪声的主要因素，并且提出改善振荡器相位噪声性能的方法。主要研究内容包括： 一、根据振荡器相位噪......
以硅材料为核心的传统元器件日益趋近物理极限,越来越难以满足电子系统小型化、高性能的需求。石墨烯作为一种新型电子材料,以其优......
基于宽禁带氮化镓(GaN)制成的高电子迁移率晶体管(HEMT)在大功率、高温和高频应用中具有极大的发展潜力,因此在微波毫米波领域引起......
氮化镓（GaN）作为近些年来迅猛发展起来的第三代半导体材料之一，同前两代半导体材料硅（Si）与砷化镓（GaAs）相比，GaN具有禁带宽、电子饱和率高......
AlGaN/GaN HEMT器件由于其高温、高频、大功率等特性方面的优势,已经在微波大功率电路方面得到了广泛应用。成功的电路设计需要准......
根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路......
