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源漏诱生应变相关论文
源漏诱生应变Si/Ge沟道MOSFET关键技术研究
自微电子工艺进入纳米尺寸以来,应变技术就以其对材料迁移率的显著提升成为了业界关注的焦点。目前源漏诱生应变Si沟道n-MOSFET尚处......
学位
源漏诱生应变
应变Si
应变
Ge
Si:C
GeSn
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