热壁化学气相沉积相关论文
在该论文中,我们利用磁控溅射的AlO作为缓冲层在Si(111)衬底上制备GaN膜,这首先可以解决以上提到的三个困难;另外,在硅与GaN之间引......
GaN是一种十分优异的宽带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，是当前世界上最先进的半导体材料之一。室温下，GaN的禁带宽度为3.4eV，是制作光电......
采用热壁化学气相沉积工艺在Si(111)衬底上生长GaN晶体膜,并对其生长条件进行研究.用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光光谱(PL......
利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶环,采用扫描电镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱和......
对热壁化学气相沉积法（HWCVD）在6H—SiC（0001）面上外延生长的SiCGe薄膜结构进行了机理分析．SiCGe薄膜具有球形岛和三角形层状堆叠岛两种......
利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、选区电子衍射(SAED)、X射......
