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环阵(RO)相关论文
FDSOI背偏与体硅体偏电路的功耗性能对比
针对功耗和工作频率对22 nm FDSOI背偏和28 nm体硅体偏电路的偏置能力进行对比和分析.以带有4级分频电路的65级环阵(RO)为例进行后......
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